パワーデバイスの現状と将来展望

Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説します！

本セミナーは【LIVE配信】と【アーカイブ配信：4/25～4/30（何度でも視聴可能）】がございます。

セミナー講師

千葉工業大学　電気電子工学科　教授　工学博士　山本 秀和 様
（2022年3月31日までの所属です）

セミナー受講料

【LIVE配信】または【アーカイブ配信】をご希望の方は
非会員　：1名につき 49,500円（税込）
会員　　：1名の場合 39,600円（税込）、2名以上同時申込の場合 1名につき 24,750円（税込）
　　　　　でご受講いただけます。

【LIVE配信＋アーカイブ配信】をご希望の方は
非会員　：1名につき 66,000円（税込）
会員　　：1名の場合 55,000円、2名以上の場合 1名につき33,000円（税込）
　　　　　でご受講いただけます。

※【LIVE配信＋アーカイブ配信】に申込希望の方は備考欄に
【220442　パワーデバイス　LIVE＋アーカイブ配信申込希望】とご記入をお願いいたします。

（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

本セミナーは
【4/21 LIVE配信】と【アーカイブ配信：4/25～4/30（何度でも受講可能）】がございます。

【LIVE配信の手順】

1. ZoomにてLIVE配信致します。
   Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールとテキスト（PDF）をお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
   また、その場ですぐに講師に質問することが出来ます。

【アーカイブ配信の手順】

1. LIVE配信終了後、アーカイブ配信ご用意が出来次第、セミナー資料と配信URLをご案内いたします。
2. 視聴期間の間は何度でも繰り返し視聴いただけます。
3. 視聴期間の間はセミナーの内容に限り、メールにて講師に質問をすることが出来ます。

無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状開発試作品を除くとほぼ100％Siを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイス性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について解説します。

受講対象・レベル

・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者　

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

セミナープログラム

1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
　1-1．パワーエレクトロニクスへの期待
　1-2．パワーデバイスの適用分野
　1-3．パワーデバイスによる電力変換
　1-4．パワーデバイスの高性能化

2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
　2-1．パワーチップの構造
　2-2．パワーモジュールの構造
　2-3．パワーデバイスの製造プロセス

3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
　3-1．Siパワーデバイスの技術開発
　3-2．SiCパワーデバイスの技術開発
　3-3．GaNパワーデバイスの技術開発
　3-4．Ga2O3パワーデバイスの技術開発

4．電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
　4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史
　4-2．世界のパワーデバイスの状況
　4-3．日本のパワーデバイスの将来展望

5．まとめ

半導体、パワー、デバイス、モジュール、チップ、ワイドギャップ、SiC、GaN