【中止】5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題

SiC／GaNパワーデバイスの今後について、
強力なライバルであるシリコンデバイスの
最新動向を見据えながら、わかりやすく解説！

セミナー講師

　岩室 憲幸 氏　　筑波大学 数理物質系 物理工学域　教授

セミナー受講料

55,000円（税込）　　

＊ 資料付
＊メルマガ登録者49,500円（税込）
＊アカデミック価格26,400円（税込）

★メルマガ会員特典
2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、
1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。

★ アカデミック価格
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、
大学院の教員、学生に限ります。申込みフォームに所属大学・大学院を記入のうえ、
備考欄に「アカデミック価格希望」と記入してください。

受講について

• 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
  　→ https://zoom.us/test
• 当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
• タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
• お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
• ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
• 「Zoom」についてはこちらをご参照ください。

■ お申し込み後の流れ

• 開催前日までに、ウェビナー事前登録用のメールをお送りいたします。お手数ですがお名前とメールアドレスのご登録をお願いいたします。
• 事前登録完了後、ウェビナー参加用URLをお送りいたします。
• セミナー開催日時に、参加用URLよりログインいただき、ご視聴ください。
• 講師に了解を得た場合には資料をPDFで配布いたしますが、参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固く禁じます。
• 資料を冊子で配布する場合は、事前にご登録のご住所に発送いたします。開催日時に間に合わない場合には、後日お送りするなどの方法で対応いたします。

セミナー趣旨

　本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。COVID-19前の半導体市況は、WSTS世界半導体市場予測によれば2020年は対前年比約6％増と、2018年から続いていた低迷から脱して市況が上向きつつあった。そのけん引役は、5Gの商用化ならびに自動車の電動化である。4Gから5Gへの進展により、データ通信速度が高速化し扱うデータ量も増加するとなるとデータセンタ内サーバ用電源の需要が増大し、そこにパワー半導体の活躍の場が生まれる。また世界各国で自動車電動化(xEV)が大きく進展しているおり、世界全体でEVやPHV開発が本格化し始めた。サーバ用電源やEV,PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。

受講対象・レベル

　パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

習得できる知識

　データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方。パワーデバイス全体の最新技術動向、Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術、Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

セミナープログラム

1．パワーエレクトロニクスとは？
　1-1　パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　高周波動作のメリットは
　1-5　パワーデバイス開発のポイントは何か
　　
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1　MOSFET・IGBT開発のポイント
　2-2　特性向上への挑戦
　2-3　MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-4　最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
　2-5　新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
　　
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiC-MOSFETプロセス
　3-4　SiCデバイス普及拡大のポイント
　3-5　SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
　3-6　最新SiC-MOSFET技術
　　
4．GaNパワーデバイスの現状と課題　
　4-1　GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-2　GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3　GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4　GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　4-5　縦型GaNデバイスの最新動向
　　
5．高温対応実装技術
　5-1　高温動作ができると何がいいのか
　5-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-3　ますます重要度を増す

※ 適宜休憩が入ります。