エッチングの基礎と最新技術 ～ドライ／ウェットエッチングのメカニズムからプロセス技術、各種材料のエッチング技術、原子層エッチング（ALE）まで～

益々進む半導体集積回路の微細化／三次元化に伴い、今後の半導体製造プロセスには、更に進んだエッチング技術が必要に！

メーカーで様々なエッチングに携わってきた経験豊富な講師が、最先端の技術トレンドや実経験におけるトラブル事例などを交えながら分かり易く解説します。

セミナー講師

 篠田 和典 先生
（株）日立製作所 研究開発グループ 計測イノベーションセンタ ナノプロセス研究部 主任研究員 博士（工学） 　

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

配布資料・講師への質問等について

• 配布資料は、印刷物を郵送で送付致します。
  お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。
  お申込みは4営業日前までを推奨します。
  それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、
  テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。
• 当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
  （全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
• 本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、
  無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

下記ご確認の上、お申込み下さい

• PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております（20Mbbs以上の回線をご用意下さい）。
  各ご利用ツール別の動作確認の上、お申し込み下さい。
• 開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。

Zoomを使用したオンラインセミナーとなります

• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
  お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
  → 確認はこちら
  ※Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
• Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。
  ※一部のブラウザは音声（音声参加ができない）が聞こえない場合があります。
  　必ずテストサイトからチェック下さい。
  　対応ブラウザーについて(公式) ;
  　「コンピューターのオーディオに参加」に対応してないものは音声が聞こえません。

申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です

• 開催5営業日以内に録画動画の配信を行います（一部、編集加工します）。
• 視聴可能期間は配信開始から1週間です。
  セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
  尚、閲覧用のURLはメールにてご連絡致します。
  ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
  （見逃し視聴有り）の方の受講料は（見逃し視聴無し）の受講料に準じますので、ご了承下さい。
  →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」

セミナー趣旨

  プラズマを用いたドライエッチングや薬液を用いたウェットエッチングは、三次元NAND型フラッシュメモリ等の半導体集積回路を開発、製造する際に必要不可欠な技術である。モノのインターネット(IoT)の普及により、データ処理を担う半導体集積回路の微細化／三次元化は益々進んでおり、最小加工寸法が10ナノメートルを切る今後の半導体製造プロセスには、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められている。また、微細化限界後のポストスケーリング時代に向けて、新構造、新チャネル材料、積層化などが検討されており、III-V族化合物半導体など様々な新材料の加工技術が鍵を握る。
  本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術、そして最先端の原子層エッチング（ALE）開発事例までを、メーカで化合物半導体光デバイスのエッチング技術やシリコンLSI向け先端エッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。

受講対象・レベル

シリコン系、および化合物半導体系デバイスの開発に携わっている方　など

習得できる知識

ウェットエッチングの基礎知識、ドライエッチングの基礎知識、各種材料のエッチング技術、
原子層エッチングの最前線　など

セミナープログラム

1. 半導体デバイスのトレンド／構造／製造プロセス
　1) 半導体デバイスのトレンド
　　a) ロジックデバイス
　　b) メモリーデバイス
　　c) 光デバイス
　2) 半導体デバイスの構造
　　a) ロジックデバイス
　　b) メモリーデバイス
　　c) 光デバイス
　3) 半導体デバイスの製造プロセス
2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
　1) エッチングプロセスの種類
　2) エッチングプロセス技術
　　a) 高アスペクト比エッチング技術
　　b) 高速エッチング技術
　　c) 難エッチング材のエッチング技術
　　d) 高選択比エッチング技術
　3) エッチングプロセスの課題
　　a) 3D-NANDエッチングの課題
　　b) ナノワイヤFETエッチングの課題
　　c) 光デバイスエッチングの課題
3. プラズマエッチングの基礎及びプロセス技術
　1) プラズマエッチング装置の種類及び特徴
　2) プラズマエッチングプロセスの特徴・要点
　3) プラズマエッチングの原理
　4) プラズマエッチングにおけるプロセス制御の考え方
　　a) エッチング反応
　　b) エッチング速度
　　c) エッチング選択比
　　d) エッチング形状
   5) プラズマエッチング損傷
　　a) 損傷のメカニズム
　　b) 損傷の評価法
　　c) 損傷の低減策
　　d) プラズマエッチングとウェットエッチングの損傷比較
　6) 各種材料のプラズマエッチング技術及びプロセス制御のポイント
　　a) Si
　　b) SiO2
　　c) Si3N4
　　d) GaAs
　　e) InP
　　f) GaN
4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
   1) ウェットエッチングの原理
　　a) エッチング液の構成と化学反応
　　b) 酸化剤および標準酸化還元電位
　　c) エッチング液に用いられる各種試薬
　2) ウェットエッチングの律速過程
　　a) 反応律速と拡散律速
　　b) 半導体結晶構造と面方位依存性
　3) ウェットエッチングにおけるプロセス制御の考え方
　　a) エッチング反応
　　b) エッチング速度
　　c) エッチング選択比
　　d) エッチング形状
　4) 各種半導体のウェットエッチング技術及びプロセス制御のポイント
　　a) Si
　　b) SiO2
　　c) Si3N4
　　d) GaAs
　　e) InP
　　f) GaN
5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
   1) 原子層プロセス技術のトレンド
　2) 原子層エッチングの基礎と分類
　3) 有機金属錯体反応を用いた熱ALE
　　a) La2O3
　　b) Co
　4) プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
　　a) Si3N4
　　b) TiN
　　c) W
　5) ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
　   a) SiO2
　6) フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
　　a) Si3N4
6. 実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
   1) 光デバイスエッチングにおける凹凸発生
　　a) エッチャント組成最適化による平滑化
　　b) 平滑エッチングによるデバイス高信頼化
7. 今後の課題
＜質疑応答＞