自動車の電動化に向けた、シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

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開催日	2023/10/16（月）10:30 ～ 2023/10/16（月）16:30　締めきりました
主催者	サイエンス＆テクノロジー株式会社
キーワード	電子デバイス・部品自動車技術半導体技術
開催エリア	全国
開催場所	オンライン配信セミナー

■最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで■

★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説！★ 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向とは？　半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説します。

【特典】■アーカイブ配信このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。Live受講に加えて、アーカイブでも一定期間視聴できます。※視聴期間：2023年10月17日(火)～10月23日(月)まで

セミナー講師

筑波大学数理物質系教授　岩室憲幸　氏

【経歴・研究内容・専門・ご活動など】1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事2009 年5月-2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。2013年4月-　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至るIEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員

【著書】1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版, 2019年9月）2．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆　(Elsevier, Oct. 2018)3．（監修書）「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス　2022年2月）4．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）5．（編集書）「世界を動かすパワー半導体　－IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月）

【受賞】日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)

【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術

【WebSite】http://power.bk.tsukuba.ac.jp/https://youtu.be/VjorIIacez0

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額27,500円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】１名申込みの場合：40,150円 ( E-Mail案内登録価格 38,170円 )※WEBセミナーには「アーカイブとオンデマンド」が含まれます。※1名様でお申込み場合、キャンペーン価格が自動適用になります。※他の割引は併用できません。

受講について

Zoom配信の受講方法・接続確認

本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
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セミナー中、講師へのご質問が可能です。
以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。≫ テストミーティングはこちら

配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)

セミナー趣旨

　2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。　しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。　最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何？　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事　1-2 パワー半導体の種類と基本構造　1-3 パワーデバイスの適用分野　1-4 最近のトピックスから　1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？　1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長　1-7 パワーデバイス開発のポイント２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来　2-2 MOSFET特性改善を支える技術　2-3 IGBT特性改善を支える技術　2-4 IGBT薄ウェハ化の限界　2-5 IGBT特性改善の次の一手　2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに　2-7 シリコンIGBTの実装技術３．SiCパワーデバイスの現状と課題　3-1 半導体デバイス材料の変遷　3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？　3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか　3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？　3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋　3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題　3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発　3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか　3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？　3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術４．GaNパワーデバイスの現状と課題　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？　4-2 GaNデバイスの構造　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？　4-5ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？　4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化　4-7 GaN-HEMTの課題　4-8 縦型GaNデバイスの最新動向５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状　5-1 酸化ガリウムの特徴は何　5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況６．SiCパワーデバイス実装技術の進展　5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの　5-2 銀または銅焼結接合技術　5-3 SiC-MOSFETモジュール技術７．まとめ　　□質疑応答□