自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

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開催日 10:30 ~ 16:30 
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主催者 サイエンス&テクノロジー株式会社
キーワード 電子デバイス・部品   自動車技術   半導体技術
開催エリア 全国
開催場所 【Live配信:アーカイブ付き】オンライン配信セミナー
■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向 ■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測 ■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術指針、PIC/S GMPガイドライン、データインテグリティ、および改正GMP省令で求められる要件とその対応策についても習得

★ 2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。★ xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイス。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向とは?★ 半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説します。

日時

受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ ※アーカイブ配信のみの受講もOKです。【Live配信:アーカイブ付き】 2024年3月21日(木)  10:30~16:30【アーカイブの視聴期間】2024年3月22日(金)~3月28日(木)まで  

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏【経歴・研究内容・専門・ご活動など】1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至るIEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員【著書】1.「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 (科学情報出版, 2019年9月)2.“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)3.(監修書)「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」(㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月)4.「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」(㈱シーエムシー出版, 2021年8月)5.(編集書)「世界を動かすパワー半導体 -IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」(電気学会2008年12月 )【受賞】日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術

セミナー受講料

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【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合:受講料( 定価:41,800円/E-mail案内登録価格 39,820円 ) 定価:本体38,000円+税3,800円 E-mail案内登録価格:本体36,200円+税3,620円※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

Zoom配信の受講方法・接続確認

  • 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
  • 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー中、講師へのご質問が可能です。
  • 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。≫ テストミーティングはこちら

アーカイブ配信の受講方法・視聴環境確認

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 会場での録画終了後から営業日で10日以内を目安に視聴開始のご案内をお知らせします。
  • S&T会員マイページ(無料)にログインいただき、ご視聴ください。
  • 視聴期間は営業日で10日間です。ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナーに関する質問に限り、後日に講師にメールで質問可能です。(テキストに講師の連絡先が掲載されている場合のみ)
  • 動画視聴・インターネット環境をご確認ください以下の視聴環境および視聴テストを事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。≫ 視聴環境  ≫ 視聴テスト【ストリーミング(HLS)を確認】

配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)その他注意事項※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

2024年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事 1.2 パワー半導体の種類と基本構造 1.3 パワーデバイスの適用分野 1.4 最近のトピックスから 1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか? 1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長 1.7 パワーデバイス開発のポイント2.最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題 2.1 パワーデバイス市場の現在と将来 2.2 MOSFET特性改善を支える技術 2.3 IGBT特性改善を支える技術 2.4 IGBT薄ウェハ化の限界 2.5 IGBT特性改善の次の一手 2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに 2.7 シリコンIGBTの実装技術3.SiCパワーデバイスの現状と課題 3.1 半導体デバイス材料の変遷 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは? 3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか 3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか? 3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋 3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題 3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発 3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか 3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは? 3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術4.GaNパワーデバイスの現状と課題 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか? 4.2 GaNデバイスの構造 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場 4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は? 4.5 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに? 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化 4.7 GaN-HEMTの課題 4.8 縦型GaNデバイスの最新動向5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状 5.1 酸化ガリウムの特徴は何 5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況6.SiCパワーデバイス実装技術の進展 6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの 6.2 銀または銅焼結接合技術 6.3 SiC-MOSFETモジュール技術7.まとめ  □質疑応答□​