自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | サイエンス&テクノロジー株式会社 |
キーワード | 電子デバイス・部品 自動車技術 半導体技術 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | 【Live配信:アーカイブ付き】オンライン配信セミナー |
★ 2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。★ xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイス。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向とは?★ 半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説します。
日時
受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ ※アーカイブ配信のみの受講もOKです。【Live配信:アーカイブ付き】 2024年3月21日(木) 10:30~16:30【アーカイブの視聴期間】2024年3月22日(金)~3月28日(木)まで
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏【経歴・研究内容・専門・ご活動など】1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至るIEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員【著書】1.「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 (科学情報出版, 2019年9月)2.“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)3.(監修書)「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」(㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月)4.「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」(㈱シーエムシー出版, 2021年8月)5.(編集書)「世界を動かすパワー半導体 -IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」(電気学会2008年12月 )【受賞】日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
セミナー受講料
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55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額27,500円)
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テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合:受講料( 定価:41,800円/E-mail案内登録価格 39,820円 ) 定価:本体38,000円+税3,800円 E-mail案内登録価格:本体36,200円+税3,620円※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。
受講、配布資料などについて
Zoom配信の受講方法・接続確認
- 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
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アーカイブ配信の受講方法・視聴環境確認
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- 視聴期間は営業日で10日間です。ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
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配布資料PDFテキスト(印刷可・編集不可)その他注意事項※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。
セミナー趣旨
習得できる知識
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。