Si･SiC･GaN･酸化ガリウム･ダイヤモンドパワーデバイス技術ロードマップと業界展望

セミナー講師

岩室　憲幸　氏 筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士（工学）

【略歴】1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）。富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事。2009 年5月～2013年3月　産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。2013年4月～　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。

専門：Si-IGBT/Diode ならびにSiC-MOSFET/SBDデバイス研究開発

学会活動：IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員パワー半導体国際シンポジウム ISPSD 2021 組織委員会、論文委員会委員2020, 2021 IEEE IEDM PDS Sub Committee Member日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞受賞（2020年12月）電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞（2020年4月）電気学会　優秀技術活動賞 グループ著作賞（2011年）

著書：1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」，　科学情報出版 (2019年)　2．”Springer Handbook of Semiconductor Devices“ Editor M. Rudan, R. Brussella, S. Reggiani, Chapter: Silicon Power Device担当・執筆 （Springer, Nov. 2022）3．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆　(Elsevier, Oct. 2018)4．「世界を動かすパワー半導体　‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」，編集委員，電気学会出版(2008年)

セミナー受講料

52,800円　(Eメール案内登録価格：1名46,200円，2名52,800円，3名71,500円)※資料付(印刷資料)※Eメール案内を希望されない方は、「52,800円×ご参加人数」の受講料です。※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様52,800円から　★1名で申込の場合、46,200円　★2名同時申込の場合は、2名様で52,800円(2人目無料)　★3名同時申込の場合は、3名様で71,500円　★4名以上同時申込の場合は、ご参加人数×20,900円※2名様以上の価格は同一法人内に限ります。※2名様ご参加は参加者全員の参加申込が必要です。

受講について

＜Webセミナーのご説明＞本セミナーはZoomウェビナーを使用したWebセミナーです。※ZoomをインストールすることなくWebブラウザ(Google Chrome推奨)での参加も可能です。お申込からセミナー参加までの流れはこちらをご確認下さい。キャンセル規定、中止の扱いについては下欄の「お申込み方法」を確認ください。

＜禁止事項＞セミナー当日にZoomで共有・公開される資料、講演内容の静止画、動画、音声のコピー・複製・記録媒体への保存を禁止いたします。

＜配付資料についての注意事項＞・本セミナーの配付資料は印刷したものをレターパックでお送りしますので以下の点をご注意ください。・セミナー直前(レターパックの送信日数＋1営業日以内)のお申込みは、セミナー当日までに資料が届かないこともあることを前提にお申込みください。・ご指定が無い限り、2名様以上でお申込みの場合は受講者1の方に資料をまとめてお送りします。・資料の送付先はご指定が無い限り、お申込時にご記入の住所にお送りします。

セミナー趣旨

本セミナーの趣旨 　2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンパワーデバイスがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンデバイスの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスに代表される次世代パワーデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競合相手であるシリコンパワーデバイスからSiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

セミナープログラム

1.　パワーエレクトロニクス（パワエレ）、パワーデバイスとは何？　1-1　パワエレ＆パワーデバイスの仕事　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造　1-3　パワーデバイスの適用分野　1-4　次世代パワーデバイス開発の位置づけ2.　最新シリコンIGBTの進展　2-1　中国製格安EVにはシリコンMOSFETが搭載されていた　2-2　最新シリコンMOSFET・IGBTを支える技術　2-3　シリコンデバイス特性改善の次の一手　2-4　逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生　2-5　シリコンIGBTの実装技術3.　SiCパワーデバイスの現状と課題　3-1　なぜSiCが新材料パワーデバイスのなかでトップを走っているのか　3-2　各社はSiC-MOSFETを開発中。最大の課題はコスト高にある　3-3　SiCウェハができるまで　3-4　SiC-MOSFETの低オン抵抗化がコストダウンにつながる理由　3-5　SiC-MOSFET内蔵ダイオードの順方向電圧劣化とその解決策　3-6　最新SiC MOSFETデバイス4.　GaNパワーデバイスの現状と課題　4-1　なぜGaNパワーデバイスなのか？　4-2　GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？　4-3　ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？　4-4　GaN-HEMTの課題　4-5　縦型GaNデバイスの最新動向5.　酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状　5-1　酸化ガリウムとその特徴　5-2　酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況　5-3　ダイヤモンドパワーデバイス開発状況6.　SiCパワーデバイス高温対応実装技術　6-1　高温動作ができると何がいいのか　6-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ　6-3　SiC-MOSFETモジュールに必要な実装技術7.　まとめ

タイムスケジュール（予定）10:30-11:45 午前の部　75分＜11:45-13:00 昼休＞13:00-14:30 午後の部　１　90分＜休憩10分＞14:40-16:30 午後の部　２　80分16:30-16:40 質疑応答　10分