SiCパワーデバイスのための高温耐熱実装技術

49,500 円(税込)

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開催日 13:00 ~ 16:30 
締めきりました
主催者 サイエンス&テクノロジー株式会社
キーワード 電子デバイス・部品   半導体技術   自動車技術
開催エリア 全国
開催場所 【Live配信】オンライン配信セミナー

■パワー半導体の実装材料、実装技術  ■高温耐熱導電接続技術 ■Ni系接合材料を用いたパワー半導体実装技術の開発

★従来の実装技術における課題と今後期待される新たな実装材料、実装技術へ! 

受講可能な形式:【Live配信】のみ

セミナー講師

早稲田大学 名誉教授/招聘研究員 巽 宏平 氏<経歴>1978年 早稲田大学修士課程修了1983年 アーヘン工科大学(ドイツ)博士課程修了 Dr.-Ing.(工学博士)1983年~2008年 日本製鉄(当時 新日本製鐵)先端技術研究所にて、鉄鋼、半導体関連材料、半導体実装技術に関する研究開発、新規事業開発に従事。2001年~2008年同上新材料研究部長2008年~2010年 日鉄ケミカル&マテリアル 取締役技術部長2010年~2023年 早稲田大学大学院情報生産システム研究科教授、2018年~2020年早稲田大学大学院情報生産システム研究科長、情報生産システム研究センター所長他 歴任、2013年~2018年 内閣府戦略的イノベーション創造プログラムSIP(次世代パワーエレクトロニク)「自動車向けSiC耐熱モジュール実装技術の研究開発」テーマリーダー2023年~早稲田大学名誉教授、招聘研究員<専門>材料科学、半導体インターコネクション、<研究内容>材料の界面(結晶粒界、接合界面など)の信頼性に関わる研究、半導体実装材料、実装技術に関わる研究開発<受賞>・日経エレクトロニクス パワー・エレクトロニクス・アワード2019 最優秀賞(SiCパワーモジュールを高温対応へNiマイクロめっき接合で250℃動作)、2019年12月。・日経BP技術賞(内部欠陥の少ない大口径炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの製造、2008年3月。 他

セミナー受講料

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49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合:受講料( 定価:37,400円/E-mail案内登録価格 35,640円 ) 定価:本体34,000円+税3,400円 E-mail案内登録価格:本体32,400円+税3,240円※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

Zoom配信の受講方法・接続確認

  • 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
  • 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー中、講師へのご質問が可能です。
  • 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。≫ テストミーティングはこちら

アーカイブ配信の受講方法・視聴環境確認

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 会場での録画終了後から営業日で10日以内を目安に視聴開始のご案内をお知らせします。
  • S&T会員マイページ(無料)にログインいただき、ご視聴ください。
  • 視聴期間は営業日で10日間です。ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナーに関する質問に限り、後日に講師にメールで質問可能です。(テキストに講師の連絡先が掲載されている場合のみ)
  • 動画視聴・インターネット環境をご確認ください以下の視聴環境および視聴テストを事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。≫ 視聴環境  ≫ 視聴テスト【ストリーミング(HLS)を確認】

配布資料製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開催日に間に合わないことがございます。Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。その他注意事項など※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

SiCパワー半導体は省エネルギーパワーデバイスとして長年その実用化が期待され、幅広い研究開発が実施されてきた結果、近年本格的な市場への導入が始まってきた。SICデバイスは高出力密度での使用が可能であることから、デバイス実装の高耐熱化の要求がますます高まってきている。ここでは従来の実装技術における課題と今後期待される新たな実装材料、実装技術について、講演者のグループの開発成果を中心に講演する。

習得できる知識

半導体実装に関わる新規実装材料、特に導電材料に関わる基礎物性ならびにその応用課題についての理解を深めると同時に高温耐熱実装技術に関わる最新の差別化技術についての知見を得る。

セミナープログラム

1.はじめに 2.パワー半導体の実装材料、実装技術 2.1 半導体の実装材料、実装技術:   (ワイヤーボンディング、ダイボンディング、フリップチップ接合、バンプ形成) 2.2 パワー半導体の実装材料、実装技術 2.3 自動車向けパワーモジュル実装技術の開発動向 2.4 SiCパワーデバイス、モジュールの開発 動向について 3.高温耐熱導電接続技術 3.1 材料特性とプロセス温度   (ダイボンディング材料、ワイヤボンディング材料) 3.2 新規開発材料の特徴と課題 3.3 太線Agワイヤによるワイヤボンディング技術と信頼性4.Ni系接合材料を用いたパワー半導体実装技術の開発  4.1 Niナノ粒子による接合, ナノNi/マイクロAlハイブリッド粒子による接合 4.2 Niマイクロめっき接合(NMPB) 4.3 熱応力緩和型実装構造 4.4 SiCパワーデバイス実装への適用 4.5 他用途への展開5.まとめと今後の展開 □質疑応答□