半導体用レジストの材料設計とその評価

～半導体用レジスト技術の基礎から解説～

セミナー講師

堀邊英夫（ほりべひでお）　氏　　　大阪公立大学大学院　工学研究科　物質化学生命系専攻　化学バイオ工学分野　　　高分子化学研究室　教授（博士（工学））＜学職歴＞1985年　京都大学　工学部　合成化学科　卒業1985年　三菱電機株式会社　先端技術総合研究所 研究員/主任研究員/主席研究員1997年　博士（工学）（大阪大学）「化学増幅ポジ型三成分系電子線レジストの設計と開発」2003年　高知工業高等専門学校　物質工学科　助教授2007年　金沢工業大学　バイオ・化学部　応用化学科　教授2013年　大阪市立大学大学院　工学研究科　化学生物系専攻　教授（～2021年）2014年　大阪市立大学　産学官連携本部　新産業創生研究センター　所長（～2017年）2017年　大阪市立大学大学院　工学研究科　化学生物系専攻　専攻長（～2018年）　2022年　大阪公立大学大学院　工学研究科　物質化学生命系専攻　教授（現在に至る）2022年　大阪公立大学　学長特別補佐、基金推進室長（現在に至る）2007年　大阪大学　招聘教授（兼） （現在に至る）、2015年　東北大学 客員教授（兼）（～2016年）、2016年　兵庫県立大学 客員教授（兼）（～2022年）、2016年　大阪工業大学 客員教授（兼）（～2019年）、2017年　高知工科大学 客員教授（兼）（現在に至る）、2017年　金沢大学 客員教授（兼）（現在に至る）、2018年　東京農工大学 客員教授（兼）（～2022年）、2021年　東北大学　特任教授（兼）（現在に至る）、2021年　広島大学　客員教授（兼）（～2022年）  ＜表彰＞第46回化学技術賞（1995年）、第14回平賀源内大賞（2007年）、第11回プラズマエレクトロニクス賞（Plasma Electronics Award・2013年）、平成28年度ONSA賞（2017年）、第65回電気科学技術奨励賞（2017年）、等  ＜学会、等＞　 高分子学会、応用物理学会、日本放射線化学会、電気材料技術懇談会、関西コンバーティングものづくり研究会、Cat-CVD研究会（日本放射線化学会常務理事、関西コンバーティングものづくり研究会会長、応用物理学会代議員、高分子学会北陸支部講演会実行委員・プログラム委員、電気学会論文委員、NEDOレビュアー、科研費審査委員、三菱電機外部評価委員長など）  ＜専門＞　 高分子物性（レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性、フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御）

セミナー受講料

お1人様受講の場合　53,900円[税込]／1名1口でお申込の場合　66,000円[税込]／1口（3名まで受講可能）

受講申込ページで2～3名を同時に申し込んだ場合、自動的に1口申し込みと致します。

受講について

• 本セミナーの受講にあたっての推奨環境は「Zoom」に依存しますので、ご自分の環境が対応しているか、お申込み前にZoomのテストミーティング（http://zoom.us/test）にアクセスできることをご確認下さい。
• インターネット経由でのライブ中継ため、回線状態などにより、画像や音声が乱れる場合があります。講義の中断、さらには、再接続後の再開もありますが、予めご了承ください。
• 受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。

セミナー趣旨

半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製（レジスト塗布、露光、現像） 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。本講演では、特にレジスト材料（感光性樹脂） ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分（ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤）ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

セミナープログラム

　1　感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説 　　1.1　感光性レジストとは?　　1.2　リソグラフィーについて　　1.3　フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク（PEB）、現像工程の概要　2　レジスト設計の変遷とその作用メカニズ 　　2.1　半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷　　2.2　レジストの基本原理　　2.3　レジストの現像特性　3　ノボラック系ポジ型レジストの材料設計 　　3.1　レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価　　3.2　ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係　　3.3　ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価　　3.4　PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性　　3.5　ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係　4　化学増幅ポジ型レジストの材料設計 　　4.1　化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性　　　4.1.1　ベース樹脂　　　4.1.2　溶解抑制剤　　　4.1.3　酸発生剤　　4.2　化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性　　4.3　化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性　　4.4　EUVレジストへの展開　　4.5　i線厚膜レジストへの展開