パワーデバイスの基礎ならびにSiC/GaNデバイス・実装の最新技術動向

SiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含めわかりやすく丁寧に解説します！また、酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状についてもご紹介します。

セミナー講師

 国立大学法人 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士（工学）　岩室 憲幸 先生

■ご略歴1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事.1999年～2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。2009 年5月～2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。2013年4月～　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。■ご専門シリコン、SiCパワー半導体設計技術■本テーマ関連学協会でのご活動IEEE Senior Member IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member電気学会　シリコンならびに新材料パワーデバイス・IC技術調査専門委員会　元委員長電気学会上級会員、応用物理学会会員パワー半導体国際シンポジウム（ＩSPSD） 2017, 2021　Steering Committee Member.

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  2023年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強のライバルであるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、パワー半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

受講対象・レベル

パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者

必要な予備知識

教養程度の工学の知識があれば十分です。

習得できる知識

・パワーデバイスならびにパッケージ技術の最新技術動向。パワーデバイス市場。シリコンIGBTの強み。・SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など

セミナープログラム

1．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？　　1-1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事　　1-2 パワー半導体の種類と基本構造　　1-3 パワーデバイスの適用分野　　1-4 パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？　　1-5 MOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？　　1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？2．最新シリコンMOSFET、IGBTの進展と課題　　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来　　2-2 パワーデバイス開発のポイント　　2-3 最新MOSFET, IGBTを支える技術　　2-4 IGBT 薄ウェハ化の限界　　2-5 IGBT特性改善の次の三手　　2-6 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の誕生　　2-7 シリコンIGBTの実装技術3．SiCパワーデバイスの現状と課題　　3-1 半導体デバイス材料の変遷　　3-2 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップなのか　　3-3 SiCのSiに対する利点　　3-4 各社はSiC-MOSFETを開発中。なぜSiC-IGBTではないのか？　　3-5 SiCウェハができるまで　　3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ　　3-7 SiC-MOSFET普及拡大のために解決すべき4つの課題　　3-8 SiC-MOSFET最近のトピックス 　　3-9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）　　3-10 SiCデバイス信頼性向上のポイント　　3-11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？　　3-12 最新SiC MOSFET技術　 4．GaNパワーデバイスの現状と課題　　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？　　4-2 GaNデバイスの構造　　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場　　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？　　4-5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？　　4-6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化　　4-7 GaN-HEMTの課題　　4-8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか　　4-9 縦型GaNデバイスの最新動向　　4-10 縦型SiCデバイス　対　縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに？5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状　　5-1 酸化ガリウムとその特徴　　5-2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況　　5-3 ダイヤモンドパワーデバイス開発状況6．SiCパワーデバイス高温対応実装技術　　6-1 高温動作ができると何がいいのか　　6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ　　6-3 パワーモジュール動作中の素子破壊例　　6-4 SiCモジュールに必要な実装技術7．まとめ