半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

★ 欠陥とデバイス特性の関係を徹底解説！ 高品質、大口径化に対応するには？

セミナー講師

１． (国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)　加藤 智久 氏 ２． 名古屋大学　未来材料・システム研究所　准教授　博士(工学)　原田 俊太 氏 ３． (一財)ファインセラミックスセンター　機能性材料G　特任主幹研究員　博士(工学)　石川 由加里 氏

セミナー受講料

1名につき60，500円（消費税込み・資料付き）〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55，000円（税込み）〕

受講について

• 本講座はZoomを利用したLive配信セミナーです。セミナー会場での受講はできません。
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• 当日は講師への質問をすることができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。
• 本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
• 本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。
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セミナープログラム

＜１０：４５〜１２：１５＞１．SiC結晶成長の現状と欠陥制御技術 　(国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)　加藤 智久 氏

【講座概要】パワー半導体用のSiC単結晶成長技術は、この２０年ほどで高品質化、大口径化技術が進み、いよいよ８インチウェハも上市された始めている。今後は低コスト化とパワーデバイスの高信頼性を担保する材料技術が求められるが、本セミナーではこれらの技術開発の取り組みに関する背景とトレンドを説明するとともに、結晶欠陥の制御の将来技術について考察を深める機会としたい。 【受講対象】パワー半導体SiC材料開発に興味のある方、結晶工学・ウェハ材料評価技術に関心のある方【受講後、習得できること】 ・半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、材料評価）の基礎知識・SiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題に関する情報 1.はじめに　　1.1 SiCの基礎と物性　1.2 SiCパワー半導体への応用　1.3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求2.SiC単結晶製造技術　2.1 SiC単結晶の合成・成長方法　2.2 結晶多形と特徴　2.3 結晶欠陥と制御　2.4 大口径結晶の成長と欠陥　2.5 n/p型の伝導度制御と欠陥

【質疑応答】

＜１３：１５〜１４：４５＞２．SiCウェハの欠陥評価技術　名古屋大学　未来材料・システム研究所　准教授　博士(工学)　原田 俊太 氏

【講演概要】SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。【受講対象】半導体結晶に関する基礎的な知識を有し、SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方【受講後、習得できること】SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識と、その評価手法を理解することができる1.SiCパワーデバイスと結晶欠陥2.SiCの結晶構造と多形3.結晶欠陥の基礎4.転位論の基礎5.SiC結晶欠陥の種類（マイクロパイプ、転位）6.SiC結晶欠陥の種類（積層欠陥）7.結晶欠陥とデバイス特性（マイクロパイプ、貫通転位）8.結晶欠陥とデバイス特性（基底面転位）9.結晶欠陥とデバイス特性（積層欠陥）10.結晶欠陥評価法の概要11.各種結晶欠陥評価法（X線トポグラフィ法）12.各種結晶欠陥評価法（エッチング）13.各種結晶欠陥評価法（フォトルミネッセンス法）14.各種結晶欠陥評価法（偏光顕微鏡法）15.結晶欠陥のマルチモーダル解析16.欠陥自動検出アルゴリズム

【質疑応答】

＜１５：００〜１６：００＞３．ワイドバンドギャップ半導体結晶欠陥の非破壊3次元分布評価　(一財)ファインセラミックスセンター　機能性材料G　特任主幹研究員　博士(工学)　石川 由加里 氏　

【講座概要】ワイドバンドギャップ半導体はパワーデバイス用材料として注目を浴びています。しかし、結晶内部に欠陥が多く残存しているため、その検出や評価は必須となります。本講座では転位を主たる対象として、欠陥検出の考え方および各種欠陥評価技術の紹介をした上で結晶欠陥の非破壊3次元分布評価技術として多光子励起顕微鏡、Ｘ線トポグラフィー、電子線誘起電流法を取り上げそれぞれの測定原理とその観察事例をご紹介します。新しい3次元非破壊評価法についても触れる予定です。 【受講対象】結晶開発、結晶評価、デバイス評価等に従事する方 【受講後、習得できること】結晶欠陥評価に関して目的に応じて適切な評価法を選択できる様になることを目的とする1.欠陥評価法について　1.1 背景　1.2 欠陥検出方法の分類　1.3 破壊検出法　1.4 2次元非破壊検出法2.多光子励起顕微鏡　2.1 歴史　2.2 測定原理　2.3 SiC結晶中のマイクロパイプや積層欠陥の3次元非破壊評価事例　2.4 GaN結晶中の転位の3次元非破壊評価事例3.Ｘ線トポグラフィー　3.1 測定原理　3.2 AlN結晶中の転位の非破壊評価事例　3.3 Ga2O3結晶中の転位の非破壊評価事例4.電子線誘起電流法　4.1 測定原理　4.2 SiCエピ膜中の転位の非破壊評価事例5.新しい3次元非破壊評価法

【質疑応答】