半導体ダイシングの低ダメージ化と最新動向

★ 加工品質、生産効率を高めるには？ 微細化、小型薄型化に対応した技術を詳解！

セミナー講師

１． (株)ＩＳＴＬ　代表取締役社長　博士(工学)　礒部 晶 氏 ２． 三星ダイヤモンド工業(株)　研究開発部　技術研究課　博士(工学)　三澤 明日香 氏 ３． 浜松ホトニクス(株)　レーザ事業推進部　営業推進グループ　新村 拓人 氏 ４．パナソニック コネクト(株)　プロセスオートメーション事業部 回路形成プロセス開発総括部 半導体次世代工法開発室 マネージャー 針貝 篤史 氏

セミナー受講料

1名につき66，000円（消費税込み・資料付き）〔1社2名以上同時申込の場合1名につき60，500円（税込み）〕

受講について

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セミナープログラム

＜１０：３０〜１２：００＞１．ダイシングの基礎と最新のデバイス/パッケージ構造

(株)ＩＳＴＬ　代表取締役社長　博士(工学)　礒部 晶 氏　【講演概要】半導体デバイスは微細化が限界に近づいていることにより、パッケージ技術にもその性能向上の役割分担をさせるようになり、パッケージ技術も多様化複雑化してきた。ダイシングは、ウエハからチップを切り出す基本的な工程であるが、パッケージ技術の複雑化に伴い、切断材料の多様化、チップの極薄化、積層化、小チップ化などの要求に答える必要が出てきた。本講では、パッケージ技術の進化とダイシング技術の関係について俯瞰的に解説する。【受講対象】パッケージ技術に携わる初級〜中級技術者、営業・マーケティング担当等【受講後、習得できること】最新デバイスの動向とパッケージとの関係、各種パッケージ形態とその特徴、最新のパッケージ技術、ダイシングの種類と特徴、最新パッケージ技術に求められるダイシング性能1.パッケージ形態の変遷とダイシングの役割　1-1 DIP〜QFP〜BGA　1-2 QFN,DFN　1-3 WLP　1-4 FOWLP　1-5 様々なSIP2.ダイシングの種類と特徴　2-1 ブレードダイシング　2-2 レーザーダイシング　2-3 プラズマダイシング3.先端デバイスの特徴とダイシングへの要求　3-1 薄化　3-2 小チップ化　3-3 チップ積層方法　3-4 硬脆材料基板4.まとめ【質疑応答】

＜１３：００〜１４：００＞２．化合物半導体 (SiC) の結晶へき開型切断加工

三星ダイヤモンド工業(株)　研究開発部　技術研究課　博士(工学)　三澤 明日香 氏【講座概要】半導体ダイシングにおける加工品質と加工速度の向上に対する要求がますます高まっている。そのため、従来の手法とは全く異なる加工メカニズムによる新規ダイシング技術が期待されている。そのひとつであるスクライブ&ブレイク法は結晶へき開を利用する技術であり、速い加工速度、カーフレス、完全ドライプロセスを特長とする。本講座では、スクライブ&ブレイク法の概要、および、SiCウェハの切断加工への応用を紹介する。 【受講対象】半導体製造に携わる技術者や研究者で、ダイシング工程における生産性や加工品質の向上に取り組む方、最新のダイシング技術に関心がある方【受講後、習得できること】半導体ダイシングにおいて加工品質や加工速度を向上させるためのヒントとして、新規ダイシング技術のひとつであるスクライブ&ブレイク法に関する知見を得られる1.スクライブ&ブレイク法による化合物半導体切断の意義　1-1 従来のダイシング手法における課題　1-2 板ガラスの切断手法としてのスクライブ&ブレイク法　1-3 スクライブ&ブレイク法のメカニズムおよび特長　1-4 化合物半導体切断への応用2.スクライブ&ブレイク法によるSiCウェハの切断　2-1 SiCウェハに対するスクライブ　2-2 SiCウェハに対するブレイク　2-3 切断後の外観　2-4 切断面の結晶性　2-5 抗折強度　2-6 実基板への応用3.専用工具の開発4.まとめ【質疑応答】

＜１４：１０〜１５：１０＞３．ステルスダイシング技術の最新動向

浜松ホトニクス(株)　レーザ事業推進部　営業推進グループ　新村 拓人 氏 　【講座概要】ステルスダイシング技術について理解し、他工法に対する優位性について理解することができる。 現状の実績など市場動向について把握することができる。 【受講対象】半導体デバイス研究・開発者【受講後、習得できること】ステルスダイシングでできること、優位性1.ステルスダイシングとは？2.ステルスダイシングの原理説明3.ステルスダイシングの特長4.当社のビジネスについて5.ステルスダイシング技術の変遷6.ステルスダイシングを支えるキーデバイス7.ステルスダイシングでの各種材料（Si、化合物半導体等）の加工結果8.ステルスダイシングによる環境貢献【質疑応答】

＜１５：２０〜１６：００＞４．各種アプリケーション向けプラズマダイシング技術の最新動向

パナソニック コネクト(株)　プロセスオートメーション事業部　回路形成プロセス開発総括部　半導体次世代工法開発室　マネージャー　針貝 篤史 氏 　【講座概要】メモリデバイスなどでは大容量化の要求に対しチップの薄型化が求められる中、ダイシング加工時のチッピング等による歩留まり低下が問題となっている。また、ハイブリッドボンディングなどパーティクルレスでのダイシング工法を求められている。そうした中でプラズマダイシング工法では、ダメージレス加工・パーティクルレス加工が可能であるため、各種アプリケーションでの適用が広がっている。本テーマでは、その最新動向についてご紹介する。1.プラズマダイシング技術の基礎と概要　1.1 既存のダイシング工法の課題　1.2 プラズマダイシングのメリット　1.3 プラズマダイシングの原理　1.4 適用アプリケーションとプロセスフロー2.各種アプリケーションにおける加工事例　2.1 薄型ウエハへの適用事例　2.2 2.5・3D実装向け加工事例　2.3 化合物ダイシング3.今後の展開【質疑応答】