自動車の電動化に向けた、シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

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開催日	2024/07/31（水）10:30 ～ 2024/07/31（水）16:30　締めきりました
主催者	サイエンス＆テクノロジー株式会社
キーワード	電子デバイス・部品自動車技術半導体技術
開催エリア	全国
開催場所	【Live配信：アーカイブ付き】オンライン配信セミナー

■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

★パワエレ・パワーデバイスの基礎、シリコン、IGBT、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスを俯瞰的に解説！

日時

【Live配信：アーカイブ付き】2024年7月31日（水） 10:30～16:30【アーカイブ(見逃し)配信】視聴期間は終了翌日から7日間を予定 受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ ★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。

セミナー講師

筑波大学数理物質系教授　岩室憲幸　氏【経歴・研究内容・専門・ご活動など】1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）富士電機株式会社に入社。1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事2009 年5月-2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。2013年4月-　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至るIEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員【著書】1．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版, 2019年9月）2．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆　(Elsevier, Oct. 2018)3．（監修書）「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス　2022年2月）4．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）5．（編集書）「世界を動かすパワー半導体　－IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月）【受賞】日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術

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テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合：受講料( 定価：41,800円／E-mail案内登録価格 39,820円 )※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

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配布資料

PDFテキスト(印刷可・編集不可)

セミナー趣旨

2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに　1.1 パワエレ＆パワーデバイスの仕事　1.2 パワー半導体の種類と基本構造　1.3 パワーデバイスの適用分野　1.4 最近のトピックスから　1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？　1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長　1.7 パワーデバイス開発のポイント２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題　2.1 パワーデバイス市場の現在と将来　2.2 MOSFET特性改善を支える技術　2.3 IGBT特性改善を支える技術　2.4 IGBT薄ウェハ化の限界　2.5 IGBT特性改善の次の一手　2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに　2.7 シリコンIGBTの実装技術３．SiCパワーデバイスの現状と課題　3.1 半導体デバイス材料の変遷　3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか　3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？　3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋　3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題　3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発　3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか　3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？　3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術４．GaNパワーデバイスの現状と課題　4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？　4.2 GaNデバイスの構造　4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場　4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？　4.5 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？　4.6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化　4.7 GaN-HEMTの課題　4.8 縦型GaNデバイスの最新動向５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状　5.1 酸化ガリウムの特徴は何　5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況６．SiCパワーデバイス実装技術の進展　6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの　6.2 銀または銅焼結接合技術　6.3 SiC-MOSFETモジュール技術７．まとめ　　□質疑応答□