シリコンフォトニクスの構成要素などの基礎から最新動向と展望

○低遅延・低消費電力・大容量伝送などが実現できることから期待のシリコンフォトニクスを詳解！ ○シリコンフォトニクスの基礎知識から、光変調器の高速化に焦点を当て速度制限要因やヘテロジニアス集積・CMOSベース集積それぞれの最新開発動向を解説します。

セミナー講師

 東京工業大学 工学院電気電子系 特任教授　 小川 憲介 氏

■ご略歴1987年3月　   大阪大学　理学研究科博士課程　修了　理学博士1987年4月～2002年4月　日立製作所　中央研究所                                   （1991年～1993年　日立ケンブリッジ研究所）2002年5月～2017年8月　フジクラ　光電子研究所2017年11月～ 東京工業大学　工学院電気電子系2023年4月～　浜松ホトニクス　中央研究所　顧問

セミナー受講料

【オンライン受講：見逃し視聴なし】　1名36,300円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき25,300円

【オンライン受講：見逃し視聴あり】　1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  生成AIなど人工知能を活用した情報処理が注目されている。これら情報処理を支えるエコシステムはデータセンタである。データセンタは光ネットワークをハードウェア基盤とし、光ネットワークは光集積回路を心臓部として内蔵する並列光トランシーバを中心に構成されている。人の思考活動に革新が生まれる時代が到来するにともない、光集積回路の重要性はますます高まっている。  光集積回路はシリコンフォトニクスをプラットフォームとして設計・製造される。本セミナーでは、上記情報処理システムのリアルタイム応答、すなわち低遅延性が求められていることに鑑み、光集積回路のさらなる高速化について議論する。光集積回路の動作速度を左右する構成要素は光変調器である。シリコンフォトニクスプラットフォームの光変調器の高速化に関連して、ヘテロジニアス集積およびCMOSベース集積という二つの潮流における光変調器の研究開発の最先端事例を紹介する。

受講対象・レベル

本テーマに興味のある方なら、どなたでも受講可能です。

必要な予備知識

この分野に興味のある方なら、特に予備知識は必要ない。

■事前に目を通しておくと更に理解が深まる書籍（閲覧必須ではありません）書籍「Integrated Silicon-based Optical Modulators: 100 Gb/s and Beyond」（K. Ogawa著・SPIE PRESS・2019）などを一読すると更に理解が深まります。

習得できる知識

・シリコンフォトニクスの基礎知識・光集積回路の技術およびビジネス動向   など

セミナープログラム

1．低遅延光ネットワークとハードウェア　1）遅延時間の要因　　a）デジタル信号処理　　b）配線遅延　2）並列光トランシーバの新規構成　　a）Linear-drive Pluggable Optics (LPO)　　b）構成要素　3）光集積回路　　a）構成要素　　b）配線遅延　　c）速度制限要素2．シリコンフォトニクスプラットフォーム　1）光導波路　　a）光導波路の分類　　b）光導波路の設計・解析　2）光変調器　　a）変調器構成の分類（MZ・リング）　　b）動作原理　　c）設計手法　3）光スイッチ　　a）光スイッチの構成　　b）設計手法　4）シリコンフォトニクスファウンドリ3．光変調器の高速化　1）速度制限要因　　a）空乏領域の移送時間　　b）導波光と電気信号との速度非整合　　c）高周波の損失　　d）RC結合の時定数　2）ヘテロジニアス集積による高速化　　a）電気光学材料のヘテロジニアス集積　　　1．ニオブ酸リチウム集積　　　2．他の電気光学材料の集積　　b）設計上の課題　　　1．光閉じ込め　　　2．動作点変動　　c）製造上の課題　3）CMOSベース集積による高速化　　a）PN接合変調器の構成　　　1．メリット　　　2．デメリット　　b）SiGe量子構造の導入　　　1．高移動度ヘテロ接合の導入　　　2．シミュレーションにおける量子力学的補正　　c）シミュレーションによる評価　　　1．光損失　　　2．周波数応答　　d）製造上の課題4．まとめと展望＜質疑応答＞

＊途中、小休憩を挟みます。