先端パッケージにおける実装技術・実装材料・冷却技術の最新動向とハイブリット接合技術

～2.5D/3D異種機能集積(チップレット)を実現するパッケージ形態～～ハイブリッド接合とそのプロセス・課題、最先端実装に要求される材料・冷却技術～　ECTC2024などの最新情報も交えながら解説！

■高密度実装を必要とするアプリケーション、チップレットを実現する2.xD/2.5D/3D集積技術、　高密度実装のカギとなるハイブリッド接合のプロセスと課題および、装置の開発状況、　熱界面材料(TIM)やアンダーフィル材料などの要求される材料技術、　半導体パッケージの冷却技術の概要、生成AIなどの大規模計算システムで　要求される冷却技術などについて、最新情報とともに解説します。

日時

【Live配信】2024年8月2日（金）  13:00～16:30【アーカイブ配信】視聴期間：終了翌営業日から7日間［8/5～8/11中］を予定  受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ

セミナー講師

東京大学　システムデザイン研究センター(d.lab)　特任研究員　博士(工学)　川野 連也　氏専門：高密度半導体実装技術、三次元実装技術略歴：1989年3月 大阪大学大学院工学研究科修士課程修了、2008年9月 東京工業大学大学院総合理工学研究科博士後期課程修了。1989年 日本電気株式会社に入社。裏面照射型赤外線イメージセンサ、Cu/Low-k配線、積層DRAM、FOWLP等の先端実装の研究開発に従事。NECエレクトロニクス、ルネサスエレクトロニクスを経て、2011年 EV Group Japanに入社。技術部門長として接合技術等のソリューション提供を統括。2015年シンガポール国立研究所のIMEにシニアサイエンティストとして着任。FOWLP、ハイブリッドボンディングなどの国際連携コンソーシアムをプロジェクトリーダーとして遂行。2022年1月より東京大学に着任、三次元実装技術、先端実装材料の研究を担当、現在に至る。

セミナー受講料

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49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】　1名申込みの場合：受講料( 定価：37,400円／E-mail案内登録価格 35,640円 )※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

配布資料

• PDFテキスト(印刷可・編集不可)

セミナー趣旨

受講対象・レベル

半導体製造、組立＆テスト、製造装置、実装材料の各メーカー、半導体プロセス・実装分野での研究開発・製造に携わる方（初心者から中級者まで）

習得できる知識

・先端パッケージの必要性とそれを実現するための技術の将来予測・三次元ICのための高密度実装を必要とするアプリケーション・高密度実装技術を実現するパッケージ形態とそれぞれの得失・高密度実装のカギとなるハイブリッド接合技術、プロセス課題や装置開発状況・先端パッケージに要求される実装材料技術・熱マネジメントが性能を決める生成AIなどの大規模計算システムで要求される冷却技術

セミナープログラム

１．はじめに －高密度実装の必要性－　1.1 パッケージ配線スケーリングと配線ギャップ　1.2 先端パッケージの変遷　1.3 各種高密度パッケージの優劣比較　1.4 配線密度向上およびパッケージ大型化の技術トレンド　1.5 チップレット解説　1.6 設計・デバイス・プロセス・実装の全体最適化（DTCO/STCO）２．高密度実装技術のアプリケーション　2.1 2nmテクノロジーノード以降のデイバス構造およびパッケージ構造の変化　2.2 高密度実装を要求するロジックアプリケーションとその要求仕様　2.3 高密度実装を要求するメモリアプリケーションとその要求仕様　2.4 高密度実装を要求するイメージセンサアプリケーションとその要求仕様３．2.5D/3D異種機能集積（チップレット）を実現するパッケージ形態とベンチマーク　3.1 Siインターポーザーを用いた2.5D/3D集積技術　3.2 Siブリッジを用いた2.xD/3D集積技術　3.3 高密度配線基板を用いた2.xD/3D集積技術　3.4 光電融合を実現する2.xD/3D集積技術４．高密度実装のカギとなるハイブリッド接合技術およびそのプロセス課題　4.1 ハイブリッド接合のメカニズム　4.2 ウェハレベルハイブリッド接合のプロセスフローと課題　4.3 ハイブリッド接合に必要な検査工程　4.4 チップレベルハイブリッド接合のプロセスフローとその課題　4.5 高歩留まりハイブリッド接合を実現するためのプロセス技術５．高密度実装に要求される材料技術　5.1 放熱効率を支配する熱界面材料（TIM）　5.2 狭ピッチバンプ接続のカギとなるアンダーフィル材料　5.3 高速信号伝送、低反りを実現する層間絶縁膜材料・基板材料　5.4 低温ハイブリッド接合を実現する銅めっき技術６．最先端実装に要求される冷却技術　6.1 半導体パッケージの冷却技術概説　6.2 スーパーコンピューター富岳に使われる冷却技術　6.3 シリコンチップを直接冷却するオンチップ冷却技術　6.4 システム全体を冷却液に浸す液浸冷却技術　6.5 チップの内部に冷却液を入れて放熱するマイクロ流体冷却技術　□　質疑応答　□