半導体クリーン化・歩留向上技術～半導体製造ラインの汚染の実態と歩留まり向上のためのシリコンウェーハ表面汚染防止技術の基礎から最新動向まで～＜東京会場受講（対面）／Zoomオンライン受講選択可＞

「半導体表面に付着する汚染物質をいかに防止するか」 半導体ウェーハを汚染から防ぎ、高歩留まりを確保するノウハウを解説！

セミナー講師

服部コンサルティングインターナショナル 代表 工学博士　服部 毅 氏

【講師略歴】35年余りソニー株式会社に勤務し、半導体材料基礎研究(中央研究所)からプロセス・デバイス開発（半導体事業本部）歩留まり向上・クリーン化（九州および米国量産ライン）まで広範な業務に従事。ウルトラクリーンテクノロジー研究室長、リサーチフェロー。この間、本社研究開発戦略スタッフ、米国スタンフォ―ド大学留学、同集積回路研究所客員研究員、カリフォルニア州立大学バークレー校工学部非常勤講師、大阪大学基礎工学部大学院非常勤講師なども経験。2007年に国際技術コンサルタントとして独立し現在に至る。内外の多数の半導体・製造装置・材料メーカーや市場動向調査企業などで技術指導・社員教育・開発戦略・学会発表支援などを担当。元韓国漢陽大学工学部客員教授。

セミナー参考情報情報機構ホームページ執筆コラム：https://johokiko.co.jp/column/column_takeshi_hattori20.php

国際技術ジャーナリストとして海外の最先端半導体・ディスプレイ・ナノテク産業技術開発動向をウォッチし、週刊エコノミスト誌や実業之日本フォーラムなど出版社の紙媒体やONLINE媒体にも執筆・マイナビニュース　執筆記事リスト：https://news.mynavi.jp/author/0001750/　　　　　　　　　　先端半導体技術紹介翻訳記事リスト：https://news.mynavi.jp/author/14344/・セミコンポータル　執筆ブログリスト：https://www.semiconportal.com/archive/blog/insiders/hattori/

【専門】半導体工学（マテリアル/プロセス/デバイス/製造技術開発）

主な書籍［共著］「シリコンウェハ表面のクリーン化技術」（リアライズ社、1995年、新版2000年）　同英語版「Ultraclean　Surface Processing of Silicon Wafers-Secrets of VLSI Manufacturing」　（独米Springer社1998年）「半導体・MEMSのための超臨界流体」（コロナ社、2012年）「半導体2014-2023年」（日経BP社、2014年）［表面・界面技術ハンドブック」（NTS社　2016年）「Developments in Surface Contamination and Cleaning: Methods for Surface Cleaning 」（Elsevier社、2017年）「半導体製造におけるウエット・ドライエッチング技術」（R＆D支援センター、2022年）「シリコンと化合物半導体の超精密・微細加工プロセス技術」（CMC出版、2024年）

【本テーマ関連学協会での活動】The Electrochemical Society (ECS：米国電気化学会)Fellow ＆Emeritus（終身名誉会員）同学会半導体洗浄科学技術国際会議（SCST）組織運営委員兼論文査読委員半導体表面超クリーンプロセス国際会議（UCPSS：ベルギーIMEC主催）運営・プログラム委員IEEE半導体製造技術国際会議（ISSM）運営委員

セミナー受講料

会場/オンライン共通1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円　※会場での昼食の提供サービスは中止しております。　＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料は、印刷物を郵送で送付致します。お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。お申込みは4営業日前までを推奨します。それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。

オンラインセミナーご受講の方へ

• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用に関する注意事項→環境の確認についてこちらからご確認ください

セミナー趣旨

ULSI半導体デバイスの微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル（異物微粒子）や金属不純物、表面吸着化学汚染（無機/有機汚染によるケミカル・コンタミネーション）など様々な微小な汚染物質が、半導体デバイスの歩留りや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、そのすべてが汚染の発生源と言っても過言ではありません。このため、製造ラインの超クリーン化～全工程にわたり、いかに汚染を防止し、Siウェーハ表面をクリーンに保つか～の重要性が一段と高まっています。設計ルールが10-nmを切り、5～3-nm時代を迎えるに至り、今後は今まで問題にしてこなかったナノパーティクルの計測と防止・除去が大きな課題となります。また、イメージセンサでは金属汚染低減が最大の課題となっています。超クリーン化技術は、これまでノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきましたが、半導体製造の根幹である半導体表面クリーン化の視点に立った科学的アプローチが必要です。

本セミナーでは、歩留り向上のためのULSI半導体クリーン化技術（ウェーハ表面の汚染をいかに防止するか）について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。米国・台湾・日本の様々な半導体クリーンルームや製造現場（450mm～150mmウェーハライン）の実写ビデオを見て議論しながら、考える学習をしましょう。だんだん汚染物質が微小（あるいは微少）化しているので、除去が極めて困難になってきたため、汚染防止の重要性が増しております。

本講座は、いわば「半導体表面に付着する汚染物質をいかに防止するか」に関するセミナーです。加えて11月に「半導体精密洗浄・乾燥技術」というセミナーを開催予定です。こちらは「半導体表面に付着してしまった汚染をいかに除去するか」に関するセミナーです。最近話題のホットトピックスも取り上げます。ぜひ両方受講されることをお勧めします。

●講師からのメッセージカンと経験によらず、サイエンスに根差したクリーン化で高歩留まり製造を目指しましょう！

　韓国や台湾では巨額の設備投資による半導体量産体制で、日本を追い越しています。米国も自国による半導体製造の重要性に気づいてCHIPS法を制定し527億ドルもの国費を半導体振興に投資hしています。中国も半導体産業強化という国家方針のもとで、莫大な資金で半導体工場を次々と建設して、米国の対中輸出規制に対抗しようとしています。７兆円規模の第３期官民ファンドがスタートしました。韓国や中国では素材・装置の国産化を国を挙げて取り組み始めています。

　日本政府も負けずに、台湾TSMCファブを誘致するとともに国内半導体工場増産や国策企業RAPIDUSへの助成を行っています。私たちもManufacturing Scienceに根ざした高歩留りのモノ造りで、今こそ半導体製造の復権を目指しましょう！日本の半導体製造装置・材料メーカーは、需要が急上昇中の海外市場で勝負するためにも、日米韓台の最先端半導体製造ラインで何が問題になっているか把握し、その対策を顧客に提案する必要があります。

　装置・材料メーカーの皆様は、先端半導体製造現場の実態と世界に通用する汚染対策を学び、グローバルな舞台で勝負しましょう！電子部品や素材・液晶・有機ELなど周辺産業の皆様は、最先端の半導体製造ラインの汚染対策を参考にして最先端技術を習得してください。

習得できる知識

1. 半導体の教科書に書かれることもなく、誰も語ろうとしなかった半導体製造ラインの汚染の実態、　 その汚染とデバイス欠陥・不良の相関の具体例を知ることができます。　 半導体参考書にはどこにも載っていない事柄を中心に講義し、テキストとして百数十枚の図面を配布しますので、　 受講後も便覧としてご活用ください。

2. 半導体ウェーハへの汚染を防止しクリーンに保つための様々なノウハウを知ることができます。　 汚染の微小化に伴い洗浄で汚染を除去しにくくなってきており、　 除去よりは防止のほうがはるかに重要度を増しています。

3. ウェーハ表面クリーン化の視点に立つ歩留り向上に役立つクリーン化技術への　 科学的アプローチを知ることができます。

4. 現場でのクリーン化・歩留まり向上へのAPC(先進プロセスコントロール)、ビッグデータ、IoT、AIなどの　 活用についても実例を交えてお話しします。

5. 最先端の技術情報を「ホットトピック」として随所で取り上げることで、最先端技術動向を把握できます。

セミナープログラム

0. ビデオ学習　　学習 ～半導体製造現場・クリーンルーム見学～（講義中に随時上映）　　1.1 最先端（300/450mmFOUP方式）半導体工場クリーンルーム・製造現場見学　　　　 （米国G450Cの450mmライン、米国Intel、台湾TSMC、キオクシアなどの300mm最先端ライン）　　1.2 旧来（150/200mmオープンカセット方式半導体工場クリーンルーム・製造現場見学1. 世界および日本半導体産業の最新動向紹介　（参考情報）2. クリーン化の目的　（なぜクリーン化すべきか？）　　2.1 歩留向上の重要性　　2.2 歩留の定義　　2.3 歩留習熟曲線　　2.4 歩留の低下要因　　2.5 ランダム欠陥・固定欠陥　　2,6 歩留り予測モデル（歩留の科学）　　2.7 歩留の科学を理解するための練習問題　　2.8 ホットトピック：チップレットの概念とこれを用いることで歩留向上3. クリーン化の対象（何をクリーン化すべきか？）　　3.1 半導体の最小線幅の年代推移　　3.2 半導体製造における空気清浄度の推移　　3.3 ウェーハ搬送方式の推移　　3.4 汚染発生源の推移　　3.5 ミニエンバイロンメント（200mm SMIF/300・450mm　FOUP）　　3.6 ホットトピック：クリーンルーム不要へ向けてまったく　　　　 新しい概念のクリーンルーム　　3.7 半導体製造におけるクリーン化の優先順位　　3.8 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例　　3.9 ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響　　3.10 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源4. 半導体表面クリーン化の手法　（汚染をどのように防止すべきか？）　　4.1 ウェーハ表面の汚染分析手法　　4.2 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策　　　　　-パーティクルによる様々な不良の実例　　　　　-製造ラインでのパーティクルモニタリング　　　　　-製造ラインでのパーティクル低減手法　　　　　-半導体製造装置の主な発塵減　　　　　-半導体製造プロセスの発塵減と低減防止策　　　　　-パーティクル沈着機構の変遷　　　　　-洗浄によるパーティクル除去メカニズム　　4.3 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策　　　　　-金属汚染のデバイスへの影響　　　　　-微細化に伴う新金属材料の必要性　　　　　-金属汚染防止策　　　　　　-金属汚染ゲッタリング策　　　　　-洗浄による金属汚染除去　　4.4 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策　　　　　-空気中のドーパント起因の不良　　　　　-空気中のアンモニア起因の不良　　　　　-空気中の酸起因の不良　　　　　-空気中の無機化学汚染の低減防止策　　4.5 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策　　　　　-有機汚染のデバイス・プロセスへの影響　　　　　-リソグラフィにおける有機汚染の分解　　　　　-有機汚染によるレンズやミラーの曇り　　　　　-クリーンルームにおける有機汚染の発生源　　　　　-ウェーハ収納ボックスからの有機汚染発生　　　　　-ウェーハ表面有機汚染の低減・防止策　　　　　-洗浄による有機汚染の除去メカニズム　　4.6 ホットトピック：発生源が内部にあることを想定しなかったFOUPの問題点と　　　　　FOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策　　4.7 将来に向けたFOUPを用いないオール枚葉搬送・処理方式の提案5. まとめ　　5.1 クリーン化技術のパラダイム転換　　5.2 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望　　5.3 歩留まり向上手法(SPC, APC, FDC,YMSなど)へのビッグデータ、IoT、AI、仮想計測（VM）など最新手法の活用