SiCパワーデバイスにおける結晶欠陥の基礎と評価技術

 ★本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響から　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　結晶欠陥の評価手法まで解説！ ※オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。

セミナー講師

国立大学法人東海国立大学機構　名古屋大学未来材料・システム研究所　未来エレクトロニクス集積研究センター准教授 博士 原田 俊太 氏【ご専門】結晶欠陥工学

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。　 メールまたは郵送でのご案内となります。　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。ご自宅への送付を希望の方はコメント欄にご住所などをご記入ください。開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますことご了承下さい。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。　本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

受講対象・レベル

・SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方。

必要な予備知識

・半導体に関する基礎知識を有する方。

習得できる知識

・SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識と、その評価手法を理解することができる。

セミナープログラム

1. はじめに　1-1. SiCパワーデバイスの市場概況　1-2. SiCパワーデバイスの特性比較（Siとの比較）

2. SiCの基礎　2-1. SiCの結晶構造と多形　2-2. 六方晶の結晶方位（四指数法）　2-3. 結晶多形（Polytype）の解説　2-4. Si面とC面

3. SiC結晶の成長法　3-1. 昇華法　3-2. CVD法　3-3. 溶液法

4. 結晶欠陥の基礎　4-1. 結晶欠陥の種類（0次元から3次元）　4-2. 結晶欠陥の観察例と観察法　4-3. 欠陥がデバイス性能に与える影響

5. SiCの結晶欠陥　5-1. マイクロパイプと転位　5-2. 積層欠陥

6. 結晶欠陥の評価技術　6-1. X線トポグラフィ法　6-2. KOHエッチング法　6-3. フォトルミネッセンス法　6-4. 透過電子顕微鏡法　6-5. 偏光顕微鏡法

7. マルチモーダル解析　7-1. 結晶欠陥のマルチモーダル解析　7-2. 欠陥自動検出アルゴリズム

8. 実例と応用　8-1. RAF法による結晶欠陥低減　8-2. 溶液法における結晶欠陥低減　8-3. 基底面転位とバイポーラ劣化　8-4. CVD法による基底面転位の変換　　8-5. 欠陥制御によるバイポーラ劣化抑制技術　8-6. 低抵抗SiC基板における積層欠陥形成　8-7. 貫通転位とデバイスリーク

9. まとめ

キーワード：SiC,パワーデバイス,結晶成長,結晶欠陥,結晶構造,マルチモーダル解析,セミナー,講演