ＳｉＣパワー半導体の最新動向とＳｉＣ単結晶ウェハ製造の技術動向
| 開催日 |
10:30 ～ 16:30 締めきりました |
|---|---|
| 主催者 | サイエンス＆テクノロジー株式会社 |
| キーワード | 半導体技術 電子デバイス・部品 無機材料 |
| 開催エリア | 全国 |
| 開催場所 | Zoomを利用したオンライン講座 |
■SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開■SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題
★ SiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化へ！★ SiCパワー半導体の現状・動向、製造プロセス技術まで俯瞰する
日時
【Live配信】 2024年11月19日（火） 10:30～16:30【アーカイブ配信】 2024年12月3日（火） から配信開始【視聴期間：12/3(火)～12/16(月)】 受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ
セミナー講師
セミナー受講料
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55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額27,500円)
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テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合：受講料( 定価：41,800円／E-mail案内登録価格 39,820円 )※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。
受講、配布資料などについて
ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
配布資料
- PDFテキスト(印刷可・編集不可)
セミナー趣旨
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造・量産が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。 本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
習得できる知識
セミナープログラム
■SiCパワー半導体開発の現状 【10:30～12:00】１．SiCパワー半導体開発の背景 1.1 環境・エネルギー技術としての位置付け 1.2 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト２．SiCパワー半導体開発の歴史 2.1 SiCパワー半導体開発の黎明期 2.2 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー３．SiCパワー半導体開発の現状と動向 3.1 SiCパワー半導体の市場 3.2 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向 3.3 SiCパワー半導体関連の最近のニュース４．SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用 4.1 SiC単結晶とは？ 4.2 SiC単結晶の物性と特長 4.3 SiC単結晶の各種デバイス応用５．SiCパワーデバイスの最近の進展 5.1 SiCパワーデバイスの特長 5.2 SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状 5.3 SiCパワーデバイスのシステム応用昼食休憩 【12:00～13:00】 ■SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望 【13:00～14:30】６．SiC単結晶のバルク結晶成長 6.1 SiC単結晶成長の熱力学 6.2 昇華再結晶法 6.3 溶液成長法 6.4 高温CVD法（ガス法） 6.5 その他成長法７．SiC単結晶ウェハの加工技術 7.1 SiC単結晶ウェハの加工プロセス 7.2 SiC単結晶の切断技術 7.3 SiC単結晶ウェハの研磨技術８．SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術 8.1 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要 8.2 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向【14:30～14:40】 休憩■SiC単結晶ウェハ製造の技術課題 【14:40～16:10】９．SiC単結晶のポリタイプ制御 9.1 SiC単結晶のポリタイプ現象 9.2 各種ポリタイプの特性 9.3 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御１０． SiC単結晶中の拡張欠陥 10.1 各種拡張欠陥の分類 10.2 拡張欠陥の評価法１１．SiC単結晶のウェハ加工 11.1 ウェハ加工の技術課題 11.2 ウェハ加工技術の現状１２．SiCエピタキシャル薄膜成長 12.1 エピタキシャル薄膜成長の技術課題 12.2 エピタキシャル薄膜成長技術の現状１３．SiC単結晶ウェハの電気特性制御 13.1 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性 13.2 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状１４．SiC単結晶ウェハの高品質化 14.1 マイクロパイプ欠陥の低減 14.2 貫通転位の低減 14.3 基底面転位の低減１５．まとめ □質疑応答□ 【16:10～16:30】※時間配分は目安です。進行状況により前後することがございます。