ウルトラワイドギャップ半導体，次々世代パワー半導体の設計開発，材料素材，今後の展望

★不純物や欠陥を制御し，高品質の単結晶を得るには？ ★硬度の高い物質の加工生産性は？ ★高電力密度，過酷環境下での「耐熱性」，「電気的安定性」は？ ★国内外の研究開発の動き

セミナー講師

【第1部】筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)　岩室 憲幸 氏 【第2部】早稲田大学 大学院 情報生産システム研究科 博士(理学)　 植田 研二 氏【第3部】京都工芸繊維大学 電気電子工学系 准教授 博士(工学)　西中 浩之 氏

セミナー受講料

1名につき60，500円（消費税込み，資料付）〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につ55，000円〕

受講について

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セミナープログラム

【１０：３０〜１２：３０】  第１部 ウルトラワイドギャップパワー半導体 デバイス開発への期待   ●講師　筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学)　岩室 憲幸 氏 　

【講座の趣旨】 自動車電動化支える基幹部品であるパワー半導体デバイスにおいて，新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されているが，現状ではシリコンデバイスが依然として主役に君臨している。これは，SiCデバイスの性能，信頼性，さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。このように新材料パワー半導体のトップランナーを走っているSiCでも，その普及には大きな困難が立ちはだかる。次々世代半導体材料であるウルトラワイドバンドキャップ半導体材料は，その性能の高さから非常に大きな期待がかかっている。本講演では，筆者のSiCパワー半導体デバイスの研究開発の経験から，ウルトラワイドバンドギャップパワー半導体への期待ならびに今から考えておくべき課題についてわかりやすく解説する。

【セミナープログラム】 １．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何か？　　1.1 パワー半導体デバイスの種類と基本構造　　1.2 パワー半導体デバイス開発のポイント２．シリコンならびにSiCパワー半導体デバイスの現状と課題　　2.1 シリコン/SiCパワー半導体デバイスの現状　　2.2 なぜSiCパワー半導体デバイスが新材料パワーデバイスでトップランナーなのか　　2.3 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜ？３．シリコン，SiCパワー半導体デバイス研究開発の経験を基にしたウルトラワイドバンドギャップ半導体デバイスへの期待　　3.1 酸化ガリウムパワー半導体デバイスの特徴　　3.2 ウルトラワイドバンドギャップ半導体デバイスへの期待 ４．まとめ【質疑応答】

【１３：１５〜１４：４５】  第２部 ダイヤモンド半導体パワーデバイス開発の 現状と展望   ●講師　早稲田大学 大学院 情報生産システム研究科 博士(理学)　 植田 研二 氏

【講座の趣旨】 本講座では次々世代パワーデバイスとして近年注目されているダイヤモンド半導体パワーデバイスに関して，基礎から応用，今後の展望まで幅広く解説する。 　　　　【セミナープログラム】１．ダイヤモンド半導体の基本特性　　1.1 物理特性 　　1.2 ドーピング　　1.3 終端面制御（水素，酸素，Si終端）２．ダイヤモンド半導体結晶成長　　2.1 プラズマCVD成長 　　2.2 ヘテロエピタキシャル成長　　2.3 大面積基板作製３．ダイヤモンド半導体パワーデバイス　　3.1 デバイス作製技術 　　3.2 横型パワーデバイスと高周波パワー応用　　3.3 縦型パワーデバイス　　3.4 極限環境下パワーデバイス（対高温，対放射線）４．まとめと将来展望 【質疑応答】

【１５：００〜１６：３０】  第３部 酸化ガリウムとウルトラワイドバンドギャップ 半導体への可能性   ●講師　京都工芸繊維大学 電気電子工学系 准教授 博士(工学)　西中 浩之 氏

【セミナープログラム】 １．酸化ガリウムの基礎物性　　1.1 酸化ガリウムのデバイス構造からみた開発のポイント　　1.2 酸化ガリウムの結晶多形２．酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成　　2.1 結晶成長・薄膜形成方法　　2.2 酸化ガリウムで用いられる結晶成長・薄膜形成方法３．酸化ガリウムの不純物，混晶化技術　　3.1 不純物添加　　3.2 混晶化４．まとめと展望 【質疑応答】