ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向

ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、各デバイス応用、開発の現状、課題、最新動向まで解説！ 

～ダイヤモンドウェハ製造技術 ／ ダイオード ／ トランジスタ～ ※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。 

セミナー講師

金沢大学 ナノマテリアル研究所 教授（リサーチプロフェッサー）博士（工学） 徳田 規夫 氏【ご専門】半導体工学【略歴】筑波大学でシリコンゲート絶縁膜、シリコン表面構造制御に関する研究で2005年に博士（工学）を取得。その後、産業技術総合研究所でポスドクとしてダイヤモンド研究を開始。主に、ダイヤモンド膜の成長制御技術を研究。2009年に金沢大学に助教として着任し、ダイヤモンド半導体ウェハ及びデバイスに関する研究を開始。2011年に准教授。2015年に金沢大学リサーチプロフェッサー。2018年度から2年間、産業技術総合研究所クロスアポイントメントフェローを兼務。2018年に教授。2020年度の1年間、京都大学化学研究所客員教授。2020年12月から株式会社KANAZAWA DIAMOND取締役を兼務。2024年4月からArizona State University・Visiting Professorを兼務。現在に至る。【主な学会活動】　応用物理学会薄膜・表面物理分科会・幹事　応用物理学会先進パワー半導体分科会・幹事　応用物理学会北陸・信越支部・副支部長

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。　 メールまたは郵送でのご案内となります。　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。ご自宅への送付を希望の方はコメント欄にご住所などをご記入ください。開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますことご了承下さい。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

　ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔（NV）中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。　本講演では、ダイヤモンドの魅力からダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。

受講対象・レベル

・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方。・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方。

必要な予備知識

・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。

習得できる知識

・ダイヤモンドの基礎的な知識が得られる。・ダイヤモンド半導体研究の歴史・魅力を理解できる。・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題を理解できる。

セミナープログラム

1．はじめに　　1-1   半導体材料としてのダイヤモンドの魅力　1-2   ダイヤモンド半導体研究の歴史

2．ダイヤモンドウェハ製造技術　2-1   成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）　2-2   不純物ドーピング技術　2-3   スライス・カット技術　2-4   研磨技術

3．ダイヤモンドダイオード　3-1   ショットキーバリアダイオード　3-2   PN接合ダイオード　3-3   ショットキーPNダイオード(SPND)

4．ダイヤモンドトランジスタ　4-1    MESFET　4-2    JFET　4-3    BJT　4-4    MOSFET

5．その他のデバイス応用　5-1    深紫外線発光デバイス　5-2    電子放出デバイス　5-3    ダイヤモンド電気化学電極　5-4    ダイヤモンド中窒素-空孔（NV）中心を用いた量子デバイス/センサ

6．まとめと今後の展開以上

【質疑応答】