パワー半導体用SiCウェハ製造技術の基礎・技術課題・開発動向

SiCパワー半導体の社会実装の状況やSiCウェハ製造技術の開発動向、課題、産業動向まで分かりやすく解説します！ 

～SiC単結晶成長、ウェハ加工技術、材料評価の基礎・応用～ ※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。

セミナー講師

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター研究チーム長 博士（工学） 加藤 智久 氏【ご専門】ワイドギャップ半導体バルク単結晶成長、ウェハ加工技術、X線結晶学、鉱物学

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。　 メールまたは郵送でのご案内となります。　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。ご自宅への送付を希望の方はコメント欄にご住所などをご記入ください。開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますことご了承下さい。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

SiCパワー半導体は近年、次世代の省エネルギー電力制御機器としてEVや鉄道などにも社会実装が始まっている。SiCウェハも8インチの大口径へ量産品が進もうとしているが、SiCは極めて安定でダイヤモンドに匹敵する堅牢な結晶であるため、そのウェハ製造はシリコンより極めて技術的に難しい側面もある。本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。

受講対象・レベル

・SiCパワー半導体やSiC材料開発に興味のある方、結晶工学・ウェハ加工技術・材料評価技術に関心のある方

必要な予備知識

・特に予備知識は必要ありません。

習得できる知識

・半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、加工、評価）の基礎知識。・SiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題、SiCウェハ産業の今後の動向に関する情報。

セミナープログラム

1. SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発　1-1. SiCの基礎と物性　　(1) 身近なSiC　　(2) ワイドギャップ半導体と特徴　　(3) SiCウェハ　　(4) 他半導体材料とSiCの違い　1-2. SiCパワー半導体への応用　　(1) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術　　(2) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例　1-3. SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求　　(1) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史　　(2) 国内・外でのSiCウェハ開発動向　　(3) SiCウェハ開発に対する今後の期待

2. SiC単結晶製造技術　2-1. SiC単結晶の合成・成長方法　　(1) SiCの合成　　(2) SiC単結晶の量産技術　　(3) 各種SiC単結晶成長技術の特徴　　(4) シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待　2-2. 結晶多形と特徴　　(1) SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性　　(2) 多形制御技術　2-3. 結晶欠陥と制御　　(1) SiC単結晶の結晶欠陥と影響　　(2) SiC単結晶の欠陥評価技術　　(3) SiC単結晶の欠陥抑制技術　2-4. 大口径結晶の成長　　(1) SiC単結晶の口径拡大成長技術　　(2) 大口径化がもたらす効果と技術課題　2-5. n/p型の伝導度制御　　(1) SiC単結晶の伝導度制御　　(2) SiC単結晶の低抵抗化技術 3. SiCウェハ加工技術　3-1. SiCのウェハ加工　　(1) SiCウェハ加工工程と技術課題　3-2. ウェハ切断工程　　(1) SiC単結晶の切断技術　　(2) 切断工程の高速化技術　　(3) 切断工程の課題と新しい切断技術　3-3. ウェハ研削工程　　(1) SiCウェハの研削加工　　(2) 研削加工の高速・鏡面化技術　　(3) 研削工程の課題と新しい研削加工技術　3-4. ウェハ研磨工程　　(1) SiCウェハの研磨加工　　(2) 研磨加工と研削加工の特徴や違い　　(3) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術　3-5. CMP工程　　(1) SiCウェハのCMP加工　　(2) CMPの高速化技術　　(3) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術　3-6. 加工変質層と評価　　(1) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴　　(2) 加工変質層の評価技術　　(3) 加工変質層の抑制技術　3-7. 大口径化対応　　(1) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題　　(2) 大口径化対応へ向けた解決策の検討

【質疑応答】

☆過去のアンケート抜粋☆・入門的なセミナーとしてとてもよかった。・パワーデバイスの社会実装の状況とSiCが開発が必要な状況が理解できた・SiC研究の背景から基本知識、具体的な研究結果まで知ることができた。・各工程における課題がわかりやすくて勉強になりました。・技術動向、課題を詳しく説明いただき参考になりました。