半導体デバイスの接合技術の基礎から異種材料集積化に向けた常温・低温接合技術の開発動向まで

36,300 円(税込)

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開催日 13:00 ~ 16:00 
主催者 株式会社 情報機構
キーワード 半導体技術   電子デバイス・部品   金属材料
開催エリア 全国
開催場所 お好きな場所で受講が可能

接合技術の基礎や評価法から、これからのキーテクノロジーである常温・低温接合技術の最新動向、真空封止・高放熱・3D集積化など接合で実現できる機能例まで。 

セミナー講師

 東北大学 工学研究科 電子工学専攻 教授  日暮 栄治 氏

■ご略歴1991年 東北大学 工学研究科電子工学専攻 博士課程の前期2年の課程修了1991年~2003年 日本電信電話株式会社 研究主任、主任研究員2003年~2019年 東京大学 工学系研究科精密工学専攻および先端科学技術研究センター 准教授2017年~2022年 産業技術総合研究所 研究チーム長、研究グループ長2022年~現在 東北大学 工学研究科電子工学専攻 教授■学協会でのご活動・エレクトロニクス実装学会理事(2016年5月~2017年5月、2023年5月~現在)。・エレクトロニクス実装学会常任理事(2017年5月~2019年5月)。・IEEE EPS Japan Chapter Chair(2021年1月~2022年12月)。・電気学会センサ・マイクロマシン部門役員会, 研究調査担当(2022年6月~2024年5月)。

セミナー受講料

【オンライン受講:見逃し視聴なし】 1名36,300円(税込(消費税10%)、資料付)*1社2名以上同時申込の場合、1名につき25,300円

【オンライン受講:見逃し視聴あり】 1名41,800円(税込(消費税10%)、資料付)*1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。

受講について

  • 配布資料は、印刷物を郵送で送付致します。お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。お申込みは4営業日前までを推奨します。それ以降でもお申込みはお受けしておりますが(開催1営業日前の12:00まで)、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。
  • 資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
  • 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
  • Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
  • 申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  近年、小型、低消費電力、高放熱、高出力などの優れた特性を有する高性能・高機能エレクトロニクスデバイスの実現に、接合技術が重要な役割を果たすと期待され、注目を集めています。特に、将来の半導体デバイスのヘテロジニアス集積に向けて、残留応力や熱ダメージの低減という特徴を持つ常温・低温接合技術がキーテクノロジーとなっています。本講演では、半導体デバイス製造に用いられるさまざまな接合技術についてその原理と特徴を概説し、特に常温・低温接合技術について、その基礎と最近の進展・今後の開発動向を詳細に説明いたします。

受講対象・レベル

・これから半導体デバイスに係わる接合技術を学ぶ方・業務のために接合技術の知識を得たい方・異種材料集積のための低温・常温接合技術に興味をもつ部品・材料メーカの開発者

必要な予備知識

この分野に興味のある方なら、特に予備知識は必要ありません。

習得できる知識

・半導体デバイス製造に用いられているさまざまな接合技術とその評価技術に関する基礎知識の習得・低温・常温接合技術の基礎の習得と最新動向・成功事例から学ぶ接合技術の応用についてなど

セミナープログラム

1.パッケージング分野から見た半導体を取り巻く状況2.半導体デバイス製造に用いられる接合技術の基礎 1)直接接合 2)金属中間層を介した接合 3)絶縁中間層を介した接合3.低温接合プロセスの基礎 1)表面活性化接合による半導体の直接接合  a)Ge/Ge接合  b)GaAs/SiC接合 2)Auを介した大気中での表面活性化接合  a)ウェハ接合  b)チップ接合 3)ポリシラザンを介した常温接合4.接合により実現される機能の具体例 1)真空封止 2)高放熱構造 3)急峻な不純物濃度勾配 4)マルチチップ接合 5)ハイブリッド接合による3D集積化5.今後の開発動向と産業化の可能性 1)平滑面の形成技術6.おわりに<質疑応答>

*途中、小休憩を挟みます。