めっき法の基礎および堆積形状・膜物性の添加剤による制御とその低減策

★液組成，浴温，電流密度，結晶構造，電気抵抗，形状，堆積速度★めっき添加剤の膜物性への影響は？　 ★めっき添加剤の選び方と使い方 ★めっき膜の評価，膜質および耐久性の向上，今後の技術の展望

セミナー講師

関西大学 システム理工学部 名誉教授・特別任用教授 理学博士 新宮原 正三 氏

＜受賞歴＞　 　1990年　SSDMベストペーパー賞，　2015年　応用物理学会フェロー表彰＜学会・委員会活動＞ 　応用物理学会，電気化学会，エレクトロニクス実装学会，　Electrochemical Society, Materials Research Society, IEEE

　※その他，表面処理関連の執筆，講演多数

セミナー受講料

  1名につき55，000円（消費税込み・資料付き）〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込み）〕

受講について

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セミナー趣旨

電解および無電解めっきによる金属薄膜形成の基礎を概説する。その上で大に無電解めっき法に関して，めっき条件（還元剤・添加剤等の組 成，浴温,pH）とめっき膜物性（結晶構造，電気抵抗）及び金属膜堆積特性（形状，堆積速度）などの相関に関して，銅，ルテニウム，Co合金などを具体的事例 に取り上げて詳細な解説を行う。

セミナープログラム

１．電解めっき法の基礎　　・電解めっきでの電位－電流依存性　　・電流効率とファラデーの法則

２．無電解めっき法の基礎　　・触媒（Ｐｄ）前処理法　　・無電解Cu及びRuめっきの基礎反応過程

３．電解銅めっきによるボトムアップ埋め込み技術　　・ダマシン法と微細銅配線技術　　・ボトムアップ埋め込みの添加剤　　・ボルタンメトリによるめっき機構解析　　・ボトムアップ埋め込みと電圧（電流）波形

４．無電解銅めっきにおけるボトムアップ堆積技術

５．添加剤とめっき膜質　　・室温結晶粒成長現象と添加剤の影響　　・添加剤の膜中への取り込みとその評価　　・不純物の取り込みと結晶粒径， 電気抵抗の相関　　・熱処理での結晶粒成長現象　　【質疑応答】

受講者の皆様の抱える疑問点や問題点について，開催3日前までに 「事前リクエスト用紙」（請求書に同封）や 「Eメール」 を御寄せ頂けましたら，講演中に対応させて頂きます。