半導体デバイス設計入門～Excel演習付き～

※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。【アーカイブ配信：2/3～2/17（何度でも受講可能）】での受講もお選びいただけます。

セミナー講師

駒形技術士事務所　研究開発部　所長　駒形　信幸　氏【専門】半導体デバイス【略歴】・日本技術士会正員・応用物理学会正員（フォト二クス分科会、応用電子物性分科会、薄膜・表面物理分科会、結晶工学分科会、超電導分科会、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会、プラズマエレクトロニクス分科会、シリコンテクノロジー分科会、先進パワー半導体分科会所属）・電子情報通信学会正員（基礎・境界ソサイエティ、通信ソサイエティ、エレクトロニクスソサエティ、情報システムソサイエティ、ヒューマンコミュニケーショングループ所属）

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）※ 会員登録とは　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。　 メールまたは郵送でのご案内となります。　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにPDFにてお送りいたします。
• アーカイブの場合は、配信開始日以降に、セミナー資料と動画のURLをメールでお送りします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

最新のMOSトランジスタ開発は、高速化・高集積化を追求し、従来のプレーナ型から3次元構造のFinFETやナノシートFETへと進んでいます。これらの3次元構造のMOSFETの開発や設計は、コンピューターシミュレーションを使用して行われるようになってきました。しかし、これらのシミュレーションにおいても、パラメータの設定には、従来のプレーナ型MOSFET設計やバイポーラトランジスタで培った半導体知識が必要です。半導体デバイスの学習は、どうしても数式の導出や羅列が多く、学習意欲が損なわれがちです。そのため、半導体特性計算のコツや半導体物理の基礎、PN接合、MOS構造、MOSトランジスタの特性について、MS Excelを使った計算演習を通じて数値的な実感を持ってもらいます。また、なぜCMOSが使われるのかという基礎的な理解にも言及し、従来形のMOSFETから最新のMOSFET開発への橋渡しを行います。

受講対象・レベル

半導体デバイス開発・設計の実務に携わる若手および中堅技術者の方

必要な予備知識

MS Excelの基本操作が出来ること。

習得できる知識

半導体デバイス開発・設計のための基礎知識が習得できる。

セミナープログラム

１．半導体基礎　１－１．結晶構造と結晶方位　１－２．CGS単位とSI単位、物理定数　１－３．シリコンの定数

２．電子の運動とバンド構造　２－１．電子の運動　　（１）粒子と波動　　　　　①スリットと干渉　　　　　②金薄膜の回折　２－２．エネルギー準位の量子化　　（１）ボーアの水素原子模型　　（２）バンド構造　　（３）結晶のバンド構造　　　　　①状態密度関数　　　　　②パウリの排他則とフェルミ‐ディラック分布　　　　　　１）パウリの排他則　　　　　　２）フェルミ‐ディラック分布　　　　　　　●フェルミ準位とは　　　　　　３）キャリアのエネルギー分布　２－３．各種固体のバンド構造　　（１）金属　　（２）半導体　　（３）絶縁体　２－４．半導体のエネルギー準位図　　（１）各種バンドの表し方　　　　　①エネルギーと位置　　　　　②エネルギー分布と位置　　　　　③エネルギーと波数ｋ　　（２）真性半導体　　（３）Ｎ形半導体　　（４）Ｐ形半導体

３．キャリアの運動　３－１・ドリフトと拡散　　（１）ドリフト移動度　　（２）キャリアの拡散　　（３）アインシュタインの関係式とキャリアの拡散長　　（４）演習①（キャリアの拡散長計算）

４．PN接合　４－１．PN接合のバンド構造　４－２．PN接合の電流－電圧特性　　（１）計算式　　（２）演習②（飽和電流の計算等）　４－３．空乏層の拡がり　　（１）階段接合　　（２）傾斜接合　　（３）演習③（空乏層の拡がり計算）

５．不純物濃度の求め方　５－１．キャリア濃度から　５－２．体積抵抗率とキャリア濃度の関係グラフ　　（１）演習④（不純物濃度の求め方演習）　５－３．ドーズ量と接合深さから　５－４．一般的な文献値から

６．MOS素子基本特性　６－１．MOS構造　６－２．ゲートバイアスと反転層の形成　　（１）電荷蓄積層の形成　　（２）空乏層の形成　　（３）反転層の形成　　（４）演習⑤（しきい値電圧計算）

７．MOSトランジスタ　７－１．MOSトランジスタ電流－電圧の関係式　７－２．MOSトランジスタの閾値電圧の計算方法　　（１）計算式　　（２）調整方法　　（３）演習⑥（イオン注入によるしきい値電圧調整）　７－３．耐圧　　（１）ブレークダウン耐圧　　　　　①アバランシェ降伏（なだれ降伏）　　　　　②ツェナー降伏　　　　　③アバランシェ降伏とツェナー降伏の温度特性　　（２）階段接合（無限大平面の場合）のブレークダウン電圧　　（３）空乏層の伸びとブレークダウン電圧の関係　　（４）コーナーRがある場合　　（５）演習⑦（ブレークダウン電圧の計算）　７－４．アイソレーションと寄生MOS　　（１）寄生MOSのしきい値電圧とチャネルストッパー　　（２）計算式　　（３）演習⑧（寄生 MOSのしきい値電圧の計算）

８．CMOSについて　８－１．CMOS回路の特徴　８－２．CMOS回路の実際　８－３．CMOSプロセスと構造

９．最新構造のMOSトランジスタへのアプローチ

キーワード：半導体,デバイス,設計,CMOS,MOSトランジスタ,MOSFET,セミナー,研修