TOF-SIMSの基礎と応用

～飛行時間型二次イオン質量分析の基礎、分析の進め方、データ解析の注意点、各種表面分析手法との組み合わせ方～

分析操作法、測定条件選定、試料の前処理、サンプリング・ハンドリング、表面・界面・有機深さ方向・有機物の高感度分析、最新の測定・解析技術とアプリケーションユニークな表面分析法を使いこなすことで得られるものとその活用TOF-SIMSで何がわかるのか、TOF-SIMSでしかわからないこととは

日時

【ライブ配信】 2024年12月20日（金）  13:00～16:30【アーカイブ配信】 2025年1月10日（金）  まで受付（視聴期間：1/10～1/24）  受講可能な形式：【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ 

セミナー講師

セミナー受講料

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受講、配布資料などについて

ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

配布資料

• PDFテキスト(印刷可・編集不可)

セミナー趣旨

受講対象・レベル

・TOF-SIMS装置を使用する技術者、研究者、材料開発者・TOF-SIMSデータを解釈する必要がある方・表面分析による解析を立案する必要がある方

習得できる知識

・飛行時間型二次イオン質量分析法（TOF-SIMS）の原理・飛行時間型二次イオン質量分析法 （TOF-SIMS）分析の進め方・飛行時間型二次イオン質量分析（TOF-SIMS）データ解析の注意点・各種表面分析の中でのTOF-SIMS分析の特徴と組み合わせ方

セミナープログラム

1．表面分析法とは　1.1 表面・界面の重要性　1.2 各種表面分析法の特徴　1.3 他の表面分析手法との比較2．TOF-SIMS法の原理と特徴　2.1 二次イオン質量分析（SIMS）の原理　2.2 質量分析器の比較　2.3 飛行時間型質量分析（TOFーSIMS）法の原理　2.4 TOF-SIMSが最表面分析手法となる理由　2.5 一次イオン源　2.6 イメージング分析と「あとから解析（Retrospective Analysis）」3．TOF-SIMS試料のサンプリングとハンドリング　3.1 測定できる試料とその形状　3.2 試料のハンドリングとサンプリング　3.3 粉末試料　3.4 絶縁試料　3.5 電池材料、大気非暴露搬送4．TOF－SIMS測定と解析の実際　4.1 TOF-SIMSの測定モード　4.2 スペクトル測定　4.3 スペクトル解析、正イオンスペクトルと負イオンスペクトル　4.4 マスピークの同定　4.5 データベースを利用した化合物の同定　4.6 新しい技術（MS/MSの利用）5．深さ方向分析　5.1 スパッタイオン源の選択　5.2 無機試料の深さ方向分析　5.3 単原子イオンとクラスターイオン　5.4 クラスターイオンエッチングの原理と特徴　5.5 有機試料の付加方向分析　5.6 TOF-SIMSによる深さ方向分析の特徴と注意点6．最新のTOF-SIMSの分析例　6.1 表面性状の分析　6.2 表面微小異物の分析　6.3 高分子材料の分析　6.4 有機半導体デバイスの分析　6.5 薬剤の分析　6.6 生体試料の分析7．よくある質問　7.1 なぜ一次イオンに高い加速電圧（エネルギー）を用いるのか？　7.2 一次イオンビームと試料の反応は、分析結果にどのような影響があるのか？　7.3 無機物を含む試料のクラスターイオン分析は有効なのか？　7.4 失敗から成功へと導いた分析事例の紹介8．まとめ、質疑