ALDの基礎と原料の開発・選択
開催日 | 13:00 ~ 17:00 |
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主催者 | (株)R&D支援センター |
キーワード | 半導体技術 薄膜、表面、界面技術 化学反応・プロセス |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 |
※Zoomを使ったWEBセミナーです。在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。
セミナー講師
気相成長(株) 代表取締役 理学博士 町田 英明 氏【ご専門】LSI配線関連プロセス開発、CVD, ALD, プリカーサー, 有機金属【ご活躍】ADMETA委員、Cat-CVD幹事、CVD反応分科会幹事、SKIL理事
セミナー受講料
49,500円(税込、資料付)■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合46,200円、 2名同時申込の場合計49,500円(2人目無料:1名あたり24,750円)で受講できます。(セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、 今回の受講料から会員価格を適用いたします。)※ 会員登録とは ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。 メールまたは郵送でのご案内となります。 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。
受講について
Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順
- Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
- セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
- 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
- セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。ご自宅への送付を希望の方はコメント欄にご住所などをご記入ください。開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますことご了承下さい。
- 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
セミナー趣旨
ALD(Atomic Layer Deposition)技術の基礎とALDの原料として用いられる有機金属化合物の一般的特徴。ALD用原料としての揮発可能な原料の開発指針。多種原料の特徴とどれがALDに適しているかを解説する。また、原料の揮発・輸送手段の例とそれぞれの問題点をあげ、その対策法を具体的に紹介する。さらに現在、注目を集めている遷移金属薄膜のALD原料・成膜、ならびに近年盛んになった低温ALDについても触れる。最後に今後の発展が期待されるALE(Atomic Layer Eching)について、ALDの逆工程の応用についても提案する。
受講対象・レベル
これからALDを始めようとする技術者やALD原料の開発者、ALDで問題を抱える技術者など
必要な予備知識
自然科学、化学について大学卒業程度の知識
習得できる知識
目的の金属系膜をALDで作製できる。ALDの原料選択が的確になる。
セミナープログラム
1.はじめに 1-1 気相成長原料の過去・現在 1-2 気相成長技術の採用2.ALDの基礎 2-1 化学吸着とALDサイクル a TMAとH2O b H2Oと反応しない原料 c ALDサイクルの初期層 2-2 非化学吸着のよるALDサイクル a 物理吸着とALDサイクル b 問題点 3.原料の基礎 3-1 有機金属原料 a 有機金属とは b 有機金属の合成法 c 有機金属の実用4.原料の分子設計 4-1 揮発性 a 有機金属結合型 b 共有結合性有機金属 c イオン結合性有機金属 d 蒸気圧向上法 e 蒸気圧測定法 4-2 低融点 a 共有結合とイオン結合 b 低融点化 4-3 分子軌道計算 a 分子間力 b 成長シミュレーション5.原料の安全性 5-1 消防法危険物 a 引火性 b 発火性 c 水との反応性 d 爆発性 5-2 毒性 a 急性毒性・慢性毒性 b 特に注意すべき原料6.原料の製造 6-1 量産性 6-2 コスト7.原料の分解 7-1 熱分解 a 自己分解 b 雰囲気ガス 7-2 分解温度の調整 a 低温化 b 高温化 7-3 保存安定性 a 保存容器 b 保存状態 c 安定剤8.原料の揮発・輸送 8-1 蒸気圧直接供給 a ガス原料 b 微差圧駆動MFC 8-2 キャリアガスバブリング a 液体原料 b 溶液原料 --- タイプA, タイプB c 蒸気圧と揮発性 8-3 ダイレクトリキッドインジェクション a 液体原料 b 溶液原料 8-4 原料の同時供給 a Pre-reaction b Adduct形成9.原料各論 9-1 原料の種類と性質 a タイプA b タイプB 9-2 族別原料の性質 a 1,2族 b 17族10.新しいALD状況 10-1 メタル膜ALD a ラジカル種を用いたALD b 新原料を用いたALD c 第3成膜種利用 10-2 アトミックレイヤーエッチング(ALE) a 代表例 b ALEのチャレンジ 10-3 低温ALD a TMAによるAl2O3 b 他の多量体原料 c 各種原料の室温反応性比較11.まとめ
キーワード:ALD,原子層堆積法,原料,成膜,セミナー,研修,講習