レジスト・微細加工用材料の基礎・要求特性と最先端技術～基本のおさらいから、EUVリソグラフィ等の最新技術動向と課題まで～

リソグラフィの変革に対応し積極的な開発が続く、レジスト・微細加工用材料の市場・技術の全体像と展望が掴めるセミナー！ 

セミナー講師

 大阪大学 産業科学研究所 招聘教授　  遠藤 政孝 氏

■ご略歴1983年松下電器産業株式会社（当時）入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィプロセス、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト材料、EUVレジストの研究開発に従事。

セミナー受講料

【オンライン：見逃し視聴なし】　1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンライン：見逃し視聴あり】　1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料は、印刷物を郵送で1部送付致します。お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。お申込みは4営業日前までを推奨します。それ以降でもお申込みはお受けしておりますが（開催1営業日前の12:00まで）、テキスト到着がセミナー後になる可能性がございます。
• 資料未達の場合などを除き、資料の再配布はご対応できかねますのでご了承ください。
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。リソグラフィの先端の量産工程ではダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVリソグラフィが用いられている。レジスト・微細加工用材料はこのようなリソグラフィの変革に対応して進展し続けている。  本講演では、リソグラフィの基礎、最新のロードマップを解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎・要求特性を述べる。つづいて現在の3nmロジックノードに用いられているレジスト・微細加工用材料の最先端技術を、EUVレジストを中心にその要求特性、課題と対策をふまえて解説する。EUVレジストでは注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスの詳細も述べる。最後に2nmロジックノード以降の今後の技術展望、市場動向についてまとめる。

受講対象・レベル

・本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、新規事業開発担当、企画担当、特許担当、   市場アナリスト、特許アナリストの方・これらの職種を希望される学生の方

必要な予備知識

基本から解説しますので予備知識は不要です。

習得できる知識

・レジスト・微細加工用材料の基礎知識、最先端技術・リソグラフィの基礎知識・最先端技術・レジスト・微細加工用材料の要求特性・レジスト・微細加工用材料の課題と対策・レジスト・微細加工用材料のビジネス動向など

セミナープログラム

1．リソグラフィの基礎　1）露光　　a）コンタクト露光　　b）ステップ＆リピート露光　　c）スキャン露光　2）照明方法　　a）斜入射（輪帯）照明　3）マスク　　a）位相シフトマスク　　b）光近接効果補正（OPC）　　c）マスクエラーファクター（MEF）　4）レジストプロセス　　a）反射防止プロセス　　　・上層反射防止膜（TARC）　　　・下層反射防止膜（BARC）　　b）ハードマスクプロセス　　c）化学機械研磨（CMP）技術　5）ロードマップとリソグラフィ技術　　a） IRDS　　　・リソグラフィへの要求特性　　　・レジスト・微細加工用材料への要求特性　　b）微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢　　c）最先端デバイスの動向2．レジストの基礎　1）溶解阻害型レジスト　　a）g線レジスト　　b）i線レジスト　2）化学増幅型レジスト 　　a）KrFレジスト　　b）ArFレジスト　　c）化学増幅型レジストの安定化技術　3）ArF液浸レジスト/トップコート　　a）ArF液浸リソグラフィの特徴　　b）ArF液浸レジスト/トップコートの要求特性　　c）ArF液浸レジスト/トップコートの設計指針 3．レジスト・微細加工用材料の最先端技術　1）ダブル/マルチパターニング　　a）リソーエッチ（LE）プロセス　　b）セルフアラインド（SA）プロセス　2）EUVリソグラフィ　　a）EUVリソグラフィの基本と課題　　　・露光装置　　　・光源　　　・マスク　　　・プロセス　　b）EUVレジストの基本　　　・EUVレジストの特徴　　　・EUVレジストの反応機構　　　・EUVレジストの要求特性　　　・EUVレジストの設計指針　　　・EUVレジスト用ポリマー　　　・EUVレジスト用酸発生剤　　c）EUVレジストの課題と対策　　　・感度/解像度/ラフネスのトレードオフ　　　・ランダム欠陥（Stochastic Effects）　　d）EUVレジストの動向　　　・ネガレジストプロセス　　　・ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト　　e）EUVメタルレジスト　　　・EUVメタルレジストの特徴　　　・EUVメタルレジストの性能　　　・EUVメタル増感剤　　　・EUVメタルドライレジストプロセス　3）自己組織化（DSA）リソグラフィ　　a）グラフォエピタキシー　　b）ケミカルエピタキシー　　c）高χ（カイ）ブロックコポリマー　4）ナノインプリントリソグラフィ　　a）加圧方式　　b）光硬化方式　　　・光硬化材料　　　・離型剤　　　・露光装置4．リソグラフィ、レジスト・微細加工用材料の今後の技術展望5．レジストの市場動向＜質疑応答＞

＊途中、お昼休みや小休憩を挟みます。