半導体製造におけるウェットプロセスのノウハウとトラブル対策

半導体洗浄、ウェットエッチング、めっき、各処理装置の
要点を丁寧に解説します！

セミナー講師

 河合 晃 先生   国立大学法人 長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻 教授 博士（工学）
 大学ベンチャー（研究成果活用企業）アドヒージョン株式会社　代表取締役

セミナー受講料

1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円
＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

配布資料・講師への質問等について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）。
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
  （全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
• 本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、
  無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

下記ご確認の上、お申込み下さい

• PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております（20Mbbs以上の回線をご用意下さい）。
  各ご利用ツール別の動作確認の上、お申し込み下さい。
• 開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。

Zoomを使用したオンラインセミナーとなります

• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
  お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
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  ※Skype／Teams／LINEなど別のミーティングアプリが起動していると、Zoomでカメラ・マイクが使えない事があります。お手数ですがこれらのツールはいったん閉じてお試し下さい。
• Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。
  ※一部のブラウザは音声（音声参加ができない）が聞こえない場合があります。
  　必ずテストサイトからチェック下さい。
  　対応ブラウザーについて(公式) ;
  　「コンピューターのオーディオに参加」に対応してないものは音声が聞こえません。

セミナー趣旨

  半導体ウェットプロセスは、処理能力の高さ、および半導体製品の歩留まりに直結しているため、重要なキーテクノロジーとして位置づけられています。
  本セミナーでは、長年、講師が先端半導体製品の開発製造に携わった経験から、半導体ウェットプロセスに注目し、ユーザー視点に基づいて、半導体洗浄、ウェットエッチング、めっき、各処理装置の要点とノウハウを丁寧に解説します。各ウェットプロセスの基礎メカニズムに重点を置きながら、高精度化、トラブル対策について解説します。ウェットプロセスの基盤技術となる濡れ・表面エネルギーについても詳しく解説します。
  また、受講者が抱えている日頃の研究開発および現場トラブルに関する相談にも個別に対応します。

習得できる知識

  半導体デバイス製造におけるクリーン化技術の基礎、ウェットエッチングの基礎、めっき技術の基礎、コントロール要因、加工制御技術、および製品の歩留まり向上や品質改善および技術開発における基盤技術を習得できます。

セミナープログラム

1．ウェットプロセス技術と半導体デバイス
　・ウェットプロセスと半導体産業（特長と歩留まり改善効果）
　・プロセス概論（洗浄、エッチング、めっき、陽極酸化）
　・処理装置（液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング）

2.ウェットプロセスを支配する基礎理論
　・濡れ性の基礎（ピンニング現象、Laplace、Young、Wenzel、Cassie、Newmanの各式）
　・表面（付着）エネルギーと分散/極性成分マップ（Dupre、Fowksの各式）
　・界面への浸透機構（拡張濡れエネルギーS、円モデル）
　・溶存ガス/気泡の性質（脱離、合一、溶解）
　・腐食溶解（ポテンシャル－ｐH電位図）
　・機能水の性質（液中酸化と高抵抗率化）
　・ゼータ電位とpH制御（溶液中の帯電）
　・乾燥痕対策（マランゴニー対流、IPA蒸気乾燥）

3. ウェットプロセス各論
　3-1ウェット洗浄技術
　・RCA洗浄（重金属除去、酸化還元電位）
　・ファイン粒子の吸着力（Hertz理論、JKR理論、DMT理論）
　・微粒子間の引力（Derjaguin近似、凝集ルール）
　・溶液中の粒子付着と除去（DLVO理論）
　・液体ラプラス力（液膜による凝集力）
　・DPAT技術（AFMによる剥離力の直接測定）

　3-2ウェットエッチング技術
　・加工技術としての位置づけ（設計値とシフト量）
　・基本プロセスフロー（前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄）
　・プロセス支配要因（律速、反応速度、エッチング機構）
　・等方性/結晶異方性エッチング（アンダーカット、結晶方位依存性）
　・マスク剤の最適化（エッチング耐性、熱だれ、応力）
　・形状コントロール要因（界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性）

　3-3めっき技術
　・CuおよびNiめっき（電解、無電解めっき）
　・レジストマスクの変形対策（熱だれ、環境応力亀裂）
　・シーズ層形成（核生成促進）
　・気泡対策（ブリスター、膜剥がれ）
　・エッジ対策（界面浸透抑制）

4．質疑応答（日頃の疑問、トラブル、解析・技術開発相談に個別に応じます）

5.参考資料
　・濡れ／乾燥トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
　・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）