徹底解説 パワーデバイス

セミナー趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状開発試作品を除くとほぼ100％Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

受講対象・レベル

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者　               
※初心者の受講でも問題ない

習得できる知識

• パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
• パワーデバイスによる電力変換
• パワーデバイスの構造と高性能化
• ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
• パワーデバイス用結晶の特異性
• Siパワーデバイスの優位性と課題
• SiCパワーデバイスの優位性と課題
• GaNパワーデバイスの優位性と課題
• Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
• 日本の電子デバイス産業における失敗事例
• パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

セミナープログラム

1. パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
   1. パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
   2. パワーデバイスの用途と産業構造
2. パワーデバイスの構造と高性能化
   1. パワーデバイスの構造と要求性能
   2. パワーデバイスの高性能化
3. Siパワーデバイスの優位性と課題
   1. Siパワーデバイスの優位性
   2. Siパワーデバイスの課題
4. SiCパワーデバイスの優位性と課題
   1. SiCパワーデバイスの優位性
   2. SiCパワーデバイスの課題
5. GaNパワーデバイスの優位性と課題
   1. GaNパワーデバイスの優位性
   2. ＧａＮパワーデバイスの課題
6. Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
   1. Ga2O3パワーデバイスの優位性
   2. Ga2O3パワーデバイスの課題
7. パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
   1. 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
   2. 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

□ 質疑応答 □

セミナー講師

千葉工業大学 工学部 電子電気工学科 教授　山本 秀和　氏

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )
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2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】
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※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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※他の割引は併用できません。

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１名申込みの場合：35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 )
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