徹底解説 パワーデバイス

パワーデバイス：Si、SiC、GaN、Ga2O3 を徹底解説！

各種パワーデバイスの優位性・課題・将来展望とは

セミナー講師

千葉工業大学 工学部 電子電気工学科 教授　山本 秀和　氏

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須／１名あたり定価半額24,750円)

【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
１名申込みの場合：35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 )
※１名様でLive配信/WEBセミナーをお申込みの場合、上記キャンペーン価格が自動適用になります。
※他の割引は併用できません。

受講について

Zoom配信の受講方法・接続確認

• 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
• 申込み受理の連絡メールに、視聴用URLに関する連絡事項を記載しております。
• 事前に「Zoom」のインストール(または、ブラウザから参加)可能か、接続可能か等をご確認ください。
• セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
• セミナー中、講師へのご質問が可能です。
• 以下のテストミーティングより接続とマイク/スピーカーの出力・入力を事前にご確認いただいたうえで、お申込みください。
  ≫ テストミーティングはこちら

配布資料

• 製本テキスト(開催前日着までを目安に発送)
  ※セミナー資料はお申し込み時のご住所へ発送させていただきます。
  ※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。

セミナー趣旨

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状開発試作品を除くとほぼ100％Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

受講対象・レベル

パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者　               
※初心者の受講でも問題ない

習得できる知識

• パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
• パワーデバイスによる電力変換
• パワーデバイスの構造と高性能化
• ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
• パワーデバイス用結晶の特異性
• Siパワーデバイスの優位性と課題
• SiCパワーデバイスの優位性と課題
• GaNパワーデバイスの優位性と課題
• Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
• 日本の電子デバイス産業における失敗事例
• パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

セミナープログラム

1. パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
   1. パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
   2. パワーデバイスの用途と産業構造
2. パワーデバイスの構造と高性能化
   1. パワーデバイスの構造と要求性能
   2. パワーデバイスの高性能化
3. Siパワーデバイスの優位性と課題
   1. Siパワーデバイスの優位性
   2. Siパワーデバイスの課題
4. SiCパワーデバイスの優位性と課題
   1. SiCパワーデバイスの優位性
   2. SiCパワーデバイスの課題
5. GaNパワーデバイスの優位性と課題
   1. GaNパワーデバイスの優位性
   2. ＧａＮパワーデバイスの課題
6. Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
   1. Ga2O3パワーデバイスの優位性
   2. Ga2O3パワーデバイスの課題
7. パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
   1. 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
   2. 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

□ 質疑応答 □