【中止】半導体表面におけるウェットプロセスの制御、最適化技術

半導体ウェットプロセスの
トラブル相談・技術開発相談にも応じます！ 

 セミナー修了後、受講者のみご覧いただける期間限定のアーカイブ配信を予定しております。

セミナー講師

長岡技術科学大学大学院　電気電子情報工学専攻
電子デバイス・フォトニクス工学講座　教授　博士(工学)　河合 晃　氏

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、
　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにPDFにてお送りいたします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

　半導体ウェットプロセスは、処理能力の高さ、および半導体製品の歩留まりに直結しているため、重要なキーテクノロジーとして位置づけられています。本セミナーでは、長年、講師が先端半導体製品の開発製造に携わった経験から、半導体ウェットプロセスに注目し、ユーザー視点に基づいて、半導体洗浄、ウェットエッチング、めっき、各処理装置の要点とノウハウを丁寧に解説します。各ウェットプロセスの基礎メカニズムに重点を置きながら、高精度化、トラブル対策について解説します。ウェットプロセスの基盤技術となる濡れ・表面エネルギーについても詳しく解説します。また、受講者が抱えている日頃の研究開発および現場トラブルに関する相談にも個別に対応します。

受講対象・レベル

半導体製造、薬剤、素材、装置メーカ関連の技術者、営業・マーケッティング担当者、新規技術導入、技術改良、量産部門の技術担当者など

習得できる知識

半導体デバイス製造におけるクリーン化技術の基礎、ウェットエッチングの基礎、めっき技術の基礎、陽極酸化法の基礎、コントロール要因、加工制御技術、および製品の歩留まり向上や品質改善および技術開発における基盤技術を習得できます。

セミナープログラム

１．ウェットプロセス技術と半導体デバイス
　・ウェットプロセスと半導体産業（特長と歩留まり改善効果）
　・プロセス概論（洗浄、エッチング、めっき、陽極酸化）
　・処理装置（液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング）
２．ウェットプロセスを支配する基礎理論
　・濡れ性の基礎（ピンニング現象、Laplace、Young、Wenzel、Cassie、Newmanの各式）
　・表面（付着）エネルギーと分散/極性成分マップ（Dupre、Fowksの各式）
　・界面への浸透機構（拡張濡れエネルギーS、円モデル）
　・溶存ガス/気泡の性質（脱離、合一、溶解）
　・腐食溶解（ポテンシャル－ｐH電位図）
　・機能水の性質（液中酸化と高抵抗率化）
　・ゼータ電位とpH制御（溶液中の帯電）
　・乾燥痕対策（マランゴニー対流、IPA蒸気乾燥）
３．ウェットプロセス各論
　3-1　ウェット洗浄技術
　・RCA洗浄（重金属除去、酸化還元電位）
　・ファイン粒子の吸着力（Hertz理論、JKR理論、DMT理論）
　・微粒子間の引力（Derjaguin近似、凝集ルール）
　・溶液中の粒子付着と除去（DLVO理論）
　・液体ラプラス力（液膜による凝集力）
　・DPAT技術（AFMによる剥離力の直接測定）
　3-2　ウェットエッチング技術
　・加工技術としての位置づけ（設計値とシフト量）
　・基本プロセスフロー（前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄）
　・プロセス支配要因（律速、反応速度、エッチング機構）
　・等方性/結晶異方性エッチング（アンダーカット、結晶方位依存性）
　・マスク剤の最適化（エッチング耐性、熱だれ、応力）
　・形状コントロール要因（界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性）
　3-3　めっき技術
　・CuおよびNiめっき（電解、無電解めっき）
　・レジストマスクの変形対策（熱だれ、環境応力亀裂）
　・シーズ層形成（核生成促進）
　・気泡対策（ブリスター、膜剥がれ）
　・エッジ対策（界面浸透抑制）
４．質疑応答（日頃の疑問、トラブル、解析・技術開発相談に個別に応じます）
５．参考資料
　・濡れ／乾燥トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
　・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）

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