酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

セミナー講師

大阪公立大学　大学院工学研究科　電子物理工学分野　教授　博士（工学）　東脇 正高　氏

≪専門≫
　半導体デバイス、薄膜結晶成長

≪略歴≫
　1998年3月　大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）
　1998年4月　日本学術振興会 博士特別研究員
　2000年4月　郵政省通信総合研究所 研究員［2004年4月（独）情報通信研究機構に改組］
　2004年10月　情報通信研究機構 主任研究員
　2007年9月　Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara,　Project Scientist（情報通信研究機構より転籍出向）
　2010年4月　情報通信研究機構 主任研究員（転籍出向より復帰）
　2012年10月　情報通信研究機構 未来ICT研究所　総括主任研究員
　2013年12月　情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括 兼 グリーンICTデバイス先端開発センター長
　2016年4月　情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター長
　2021年4月　情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター グリーンICTデバイス研究室長 （2022年4月からは兼務）
　2022年4月　大阪公立大学 大学院工学研究科 電子物理工学分野　教授 （本務）

≪受賞歴≫
　2005年　第27回応用物理学会論文賞（JJAP論文奨励賞）
　2006年　第28回応用物理学会論文賞
　2007年　The Young Scientist Award of the 2007 International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
　2009年 丸文研究奨励賞
　2013年　第27回フジサンケイビジネスアイ 先端技術大賞 特別賞
　2015年　第11回日本学術振興会賞
　2018年　Nakamura Lecturer Award, Materials Department, University of California, Santa Barbara (UCSB)
　2021年　Clarivate Highly Cited Researcher 2021（クラリベイト 2021年 高被引用論文著者）
　2022年　第54回市村学術賞 貢献賞
　2023年　IEEE Fellow

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合38,500円、
　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
※ 会員登録とは
　 ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
　 すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
　 メールまたは郵送でのご案内となります。
　 郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

• セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
• 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
• 受講にはWindowsPCを推奨しております。
  タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。

セミナー趣旨

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

受講対象・レベル

　電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方。

習得できる知識

・Ga2O3物性の基礎知識
・バルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

セミナープログラム

１．はじめに
　　1.1  Ga2O3の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
　　1.2  将来的なGa2O3デバイスの用途

２．Ga2O3バルク融液成長技術

３．Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
　　3.1  MBE成長
　　3.2  HVPE成長
　　3.3  MOCVD成長

４．Ga2O3トランジスタ開発
　　4.1  横型MESFET
　　4.2  横型DモードMOSFET
　　4.3  横型フィールドプレートMOSFET
　　4.4  縦型DモードMOSFET
　　4.5  縦型EモードMOSFET
　　4.6  国内外のGa2O3 FET開発動向

５．Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
　　5.1  HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
　　5.2  縦型フィールドプレートSBD
　　5.3  縦型ガードリングSBD
　　5.4  国内外のGa2O3 SBD開発動向

６．まとめ、今後の課題

【質疑応答】

酸化ガリウム,Ga2O3,パワー,デバイス,エレクトロニクス,半導体,講座,研修,セミナー