EUVリソグラフィおよびレジスト・フォトマスクの概要、Beyond EUVLへの将来展望

～目指すべき半導体業界の将来像～

★5月発刊予定の書籍「EUVリソグラフィ」の発刊記念セミナー！

第1講では、EUVL技術開発の第一人者が、黎明期のEUVL、技術開発の現状、今後の展望と併せて、EUV光のさらなる短波長であるbeyond EUVLの可能性を紹介！
上記と併せ、日本の半導体復活へのシナリオ、目指すべき半導体業界の将来像についても言及！
第2講では、フォトレジスト材料開発の第一人者が、EUVリソグラフィ用フォトレジスト材料開発の歴史、具体的事例、最新の開発動向など技術上の課題を解説！
第3講では、半導体の性能を決定づけるフォトマスクについて、高精度要求に対応した機能や性能をフォトマスクが発揮するための技術的な検討および製造工程について説明！

セミナー講師

• 第1部　 兵庫県立大学　 高度産業科学技術研究所 学長特別補佐 （先端研究担当）/産学連携・研究推進機構 放射光産業利用支援本部 本部長代行/高度産業科学技術研究所特別補佐/極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長/教授　渡邊　健夫　氏
• 第2部　 富士フイルム株式会社　 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート　 藤森　亨　氏
• 第3部　 大日本印刷株式会社　 ファインデバイス事業部 第１製造本部 技術部 リーダー　 森川　泰考　氏

セミナー受講料

【1名の場合】44,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。

セミナープログラム

【第1講】 EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVLへの将来展望および 目指すべき半導体業界の将来像
【時間】 13:00-14:15
【講師】兵庫県立大学　学長特別補佐 （先端研究担当）/産学連携・研究推進機構 放射光産業利用支援本部 本部長代行/高度産業科学技術研究所特別補佐/極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長/教授　渡邊　健夫　氏

【講演主旨】
　EUVリソグラフィ(EUVL)は2019年より7nmロジックデバイスの量産技術として適用が開始された。半導体の前工程であるEUVLは微細加工に必須の技術となっており、IRDS国際ロードマップのとおり、2037年の0.5nmロジックデバイスの量産までEUVLが適用され、MOSトランジスター構造の３次元化に大きく貢献をしている。講演では黎明期のEUVL、技術開発の現状、今後の展望と併せて、EUV光のさらなる短波長であるbeyond EUVLの可能性について紹介する。また、半導体技術は国家安全保障や経済安全保障上重要な技術であり、日本の半導体復活へのシナリオについても言及します。

【プログラム】
1．半導体市場動向
2．IRDS国際ロードマップの概要
3．EUVリソグラフィ技術はなぜ必要か？
4．EUVリソグラフィ技術課題
5．黎明期のEUVリソグラフィ技術
6．EUVL用露光機
7．EUVマスク欠陥検査技術
8．EUVペリクル評価
9．EUVレジスト材料プロセス技術
10．EUVリソグラフィ技術の今後の展開（High NA EUVLを含む）
11．次世代Beyond EUVリソグラフィ技術
12．日本半導体復活に向けたシナリオ
13．まとめ
【質疑応答】
講演終了後に５分程度

【キーワード】
IRDS国際ロードマップの概要、EUVリソグラフィ技術、EUV露光機、EUVマスク欠陥検査技術の基礎、EUVペリクル、EUVレジスト材料プロセス技術、日本半導体復活に向けたシナリオ

【講演のポイント】
1990年にシャープ（株）中央研究所に入社し、各種半導体微細加工技術に従事し、1993年以来EUVリソグラフィ技術開発に従事してきた。1996年より姫路工業大学（現、兵庫県立大学）高度産業科学技術研究所でニュースバル放射光施設でEUVリソグラフィの基盤技術開発を進め、これまで４つの国家プロジェクトを推進し、国内外の多くの企業との共同研究を推進してきた。その結果、2019年のEUVLの量産技術開発に大きく貢献してきた。今後の微細加工技術の進展貢献しているEUVL技術開発の第一人者である。

【習得できる知識】
・IRDS国際ロードマップの概要
・EUVリソグラフィ技術の基礎
・EUV露光光学系設計の基礎
・EUVマスク欠陥検査技術の基礎
・EUVペリクルの基礎
・EUVレジスト材料プロセス技術の基礎

【第2講】 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷
【時間】 14:25-15:40
【講師】富士フイルム株式会社　エレクトロニクスマテリアルズ研究所 シニアエキスパート　藤森　亨　氏

【講演主旨】
　微細加工に必要なリソグラフィ技術、それを実現するための材料であるフォトレジストは、長い歴史を経て、EUVリソグラフィの実現を迎えた。その歴史および技術的内容を整理することは、さらなる発展およびこれから従事する若手にとっても非常に重要である。EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷を解説し、現在では表に出てこない課題も振り返りながら、さらなる発展へとつなげていく機会としていただきたい。

【プログラム】
１．リソグラフィ微細化の歴史
２．フォトレジスト材料の変遷
　　　２－１.　光源にあわせて進化するレジスト材料、KrF用およびArF用化学増幅型レジスト
　　　２－２.　化学増幅型レジストのEUVリソグラフィへの適用
　　　２－３.　化学増幅型ネガティブトーンイメージング（ネガティブトーン現像）EUV-NTI
　　　２－４.　微細パターン対応を鑑みた低分子型レジスト
　　　２－５．非化学増幅型レジスト
　　　２－６．さらなる性能向上に立ちはだかる本質課題、ストカスティック欠陥
　　　２－７．レジストアウトガス
【質疑応答】

【キーワード】
EUV、レジスト、リソグラフィ、微細化、ムーアの法則、ネガティブトーン現像、NTI

【講演ポイント】
＜講演内容＞
　EUVリソグラフィ用フォトレジスト材料開発の歴史、具体的事例、最新の開発動向など技術上の課題を解説する。
＜講演者＞
　フォトレジスト材料開発、リソグラフィプロセス、国プロジェクト経験など、講演者はそれらの技術に直接従事もしくは議論・プロジェクト参加した経験があり、具体的な課題・展望についての紹介が可能。

【習得できる知識】
リソグラフィ用フォトレジストとはなんぞや。
最先端EUVリソグラフィ用フォトレジスト実用化への変遷および現在の課題と解決事例。

【第3講】 次世代EUV半導体プロセス向けフォトマスクの開発
【時間】 15:50-17:05
【講師】大日本印刷株式会社　ファインデバイス事業部 第１製造本部 技術部 リーダー　森川　泰考　氏

【講演主旨】
　フォトマスクは半導体リソグラフィの回路原版であり半導体の性能を決定づける重要な部品であるため、フォトマスクに要求される品質は半導体の微細化および性能向上に伴って、より厳しいものが求められ続けている。近年実用化されたEUVリソグラフィに使用されるEUVマスクは、従来のDUVマスクとは露光方式の違いから構造が大きく異なりEUV露光に最適化されたものとなっており、その重要性や要求される性能はさらに高まっている。次世代EUV露光技術すなわちHigh-NA（NA=0.55）に対応したマスクは、それに適合した形での進化が求められている。
　本講演では以上のような変化と高精度要求に対応した機能や性能をフォトマスクが発揮するために、どのような技術的検討が行われているかと製造工程について説明し、さらに次世代露光技術に必要とされている開発課題について解説する。

【プログラム】
1.    EUVマスクの特徴と技術課題
　1.1 EUVマスクの構造と転写の概要
　1.2 EUVマスクへの要求仕様
　1.3 EUVマスク基板への要求仕様
　1.4 遮光帯（Black Border ; BB）
　1.5 EUVペリクル
2.    EUVマスクの製造工程
　2.1 データ準備工程（Mask Data Preparation ; MDP）
　2.2 描画現像工程（レジストプロセス）
　2.3 エッチング工程
　2.4 計測・検査・修正工程
3.    次世代EUVマスクの開発課題
　3.1 微細化の追求（解像度の向上）とさらなる複雑化への対応
　3.2 新材料（位相シフトマスク）の適用
　3.3 スティッチング露光への対応
　3.4 高透過率EUVペリクルの開発

【質疑応答】

【キーワード】
フォトマスク、EUV、位相シフトマスク、次世代技術、開発課題