リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、今後の展望および半導体産業の位置付けと未来

セミナー趣旨

　今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス(ME)の発展に支えられている。MEは、1950年代に集積回路(IC)が開発されて以来、大規模集積回路(LSI)のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
　レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。

1)コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
2)投影露光方式の導入
3)化学増幅型レジスト／エキシマレーザ光源の採用
4)EUV光源の採用など

　それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用への指針とする。
　さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割を考察し、日本の半導体産業の現状と課題を整理し、今後の展開の指針としたい。

受講対象・レベル

研究開発、製造技術業務にたずさわって2~3年の若手技術者の方から中堅技術者、リーダー。

習得できる知識

　レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性、マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化、低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程を知ることができる。
　技術・レジスト材料開発の実例を学ぶことにより、効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用が可能となる。
　さらに、社会における半導体の位置づけ、日本の半導体産業の現状と課題を理解し、今後の展望を考えることができる。

セミナープログラム

１． 技術パラダイムシフトと半導体集積回路
　　　1-1. 科学技術の発展
　　　　　　3大発明から産業革命
　　　1-2. 技術パラダイムシフトと産業発展
　　　1-3. マイクロエレクトロニクス(ME)と社会
　　　1-4. MEの黎明期とフォトレジスト
　　　　　　フォトレジスト開発の必然性とイノベーションの創出、
　　　　　　最先端半導体デバイス

２． フォトレジストの本流
　　　2-1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
　　　　　　(1) リソグラフィプロセスの確立
　　　　　　　　フォトレジスト開発の推移
　　　　　　(2) 基本的構造及び製造法の進化
　　　2-2. ノボラック系ポジ型レジスト
　　　　　　(1) 基本的組成
　　　　　　　　ウェーハ大口径化へのイノベーション
　　　　　　(2) マトリックス樹脂、感光性化合物のデザイン
　　　　　　(3) レジストの透明性と解像度
　　　　　　(4) i-線レジスト
　　　　　　(5) リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
　　　　　　(6) レジストの溶剤と環境への影響
　　　　　　(7) 高性能化への工夫と新たなイノベーション

３． フォトレジストの裏街道
　　　3-1. X線レジスト
　　　3-2. Top Surface Imaging
　　　　　　表層をイメージングレイヤーとするDESIREプロセス
　　　3-3. Deep UVリソグラフィ
　　　　　　(1) 黎明期のレジスト
　　　　　　(2) 化学増幅型レジスト
　　　　　　　　レジストの透明性と高コントラス実現のジレンマ
　　　　　　(3) 光酸発生剤

４． エキシマレーザリソグラフィ　　
　　　4-1. KrFレジスト
　　　　　　(1) エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
　　　　　　(2) 光源・光学系の課題
　　　　　　(3) 化学増幅型レジストの課題
　　　　　　(4) 材料からの改良
　　　　　　(5) プロセス面からの改良
　　　　　　(6) 実用化されたレジスト材料
　　　4-2. ArFレジスト
　　　　　　(1) ArFレジスト実現への課題
　　　　　　(2) 課題克服へのイノベーション
　　　　　　　　材料からのアプローチ、プロセスからのアプローチ
　　　4-3. 液浸リソグラフィ
　　　　　　(1) 液浸リソグラフィプロセス
　　　　　　(2) レジスト材料への展開

５． EUVリソグラフィ
　　　5-1. 光源・露光機の開発
　　　5-2. レジスト開発
　　　　　　LERの要因と対応、無機レジスト
　　　5-3. EUVLの課題

６． 今後の展望
　　　6-1. 現像プロセスの課題
　　　　　　現像過程での膨潤と解像度、ナノインプリント技術の実用化　

７． 科学技術と社会(半導体と人間)
　　　7-1. 実装材料（ポリイミド）
　　　　　　半導体と人とのインターフェイス形成材料
　　　7-2. フラットパネルディスプレイ材料
　　　　　　半導体と人とのインターフェイス
　　　7-3. ブレインマシンインターフェイス(BMI)
　　　7-4. 科学技術と社会(地球規模の課題と科学技術/半導体)

８． 国の安全保障の根幹を担う半導体産業
　　　　　　日本の半導体産業再生のために　

９． 効率的にイノベーションを創出するために
　　　　　　知的財産戦略とMOT

１０． まとめ

【質疑応答】

キーワード：
レジスト,リソグラフィ,微細,材料,半導体,デバイス,,WEB,セミナー,講演,研修

セミナー講師

鴨志田技術事務所／フォトポリマー懇話会顧問　鴨志田 洋一 氏

【ご専門】
機能性高分子、高分子合成、リソグラフィ材料、知的財産権

【ご略歴】
1971年　東京大学工学部工業化学科　卒業
1973年　東京大学大学院工学系研究科合成化学専門課程　修了
1973年～2011年　ＪＳＲ㈱、フォトレジストの研究開発、マーケティング、知的財産部長、テクノポリマー常勤監査役、インターリサーチ社長、2010年～2022年　神奈川大学講師兼務、電気学会先端リソグラフィ調査専門委員(1994年～2017年)、フォトポリマー懇話会会長(2012年～2020年)、2023年現在　フォトポリマー懇話会顧問、高分子学会フェロー、日本化学会正員

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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