次世代パワーデバイスに向けたデバイス化技術と要素技術の展望

★縦型GaN、酸化ガリウム、ダイヤモンドデバイスの実現に向けた技術動向、課題

セミナー講師

１． 名古屋大学　未来材料・システム研究所　未来エレクトロニクス集積研究センター　特任教授　工学博士　加地 徹 氏

２． 大阪公立大学　大学院工学研究科　電子物理系専攻　電子物理工学分野　教授　博士(工学)　 東脇 正高 氏

３． 佐賀大学　大学院工学系研究科　教授　博士（工学）　嘉数 誠 氏

セミナー受講料

1名につき60，500円（消費税込・資料付き）〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55，000円（税込）〕

受講について

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セミナープログラム

＜１０：３０〜１２：００＞１．GaNパワーデバイスの開発動向と低オン抵抗　高耐圧化への展望名古屋大学　加地 徹 氏【講演ポイント】　GaNパワーデバイスはSiCと並び次世代のパワーデバイスとして期待されています。横型GaNパワーデバイスはすでに実用化の時代に入り、応用範囲が拡大されつつあります。同時に、使い易さを目的にデバイスのパッケージングでの改良も進んでいます。　一方縦型パワーデバイスはまだ実用化には至っていません。しかし、SiC-MOSFETより低いオン抵抗が期待できるため、新たなシステムの可能性が開けることから、開発が進められています。　本講座では、横型と縦型のGaNパワーデバイスの現状と開発の課題、将来について展望します。。【プログラム】１．GaNの物性と強み２．GaNパワーデバイスの構造と特徴３．横型パワーデバイスの現状　3.1 メーカーとデバイスの特徴　3.2 他パワーデバイスとの比較　3.3 今後の展望４．縦型パワーデバイスの現状と課題　4.1 要素技術の課題と現状　　4.1.1 ゲート絶縁膜　　4.1.2 イオン注入技術　　4.1.3 トレンチ加工技術　　4.1.4 GaN基板開発　4.2 縦型パワーデバイスの実際　　4.2.1 終端構造　　4.2.2 Junction Barrier Schottky (JBS) ダイオード　　4.2.3 JFET　　4.2.4 MOSFET　4.3 今後の展望５．まとめ【質疑応答】

＜１３：００〜１４：３０＞２．ベータ型酸化ガリウムデバイスの開発動向とダイオード、トランジスタ応用への展望大阪公立大学　東脇 正高 氏【講演ポイント】　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。 こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。【プログラム】１．ベータ酸化ガリウム (β-Ga2O3) の物性２．β-Ga2O3バルク融液成長技術３．β-Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術　3.1 MBE成長　3.2 HVPE成長　3.3 MOCVD成長４．β-Ga2O3トランジスタ　4.1 横型FET（高周波、極限環境デバイス）　4.2 横型FET（パワーデバイス５．β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD)６．まとめ【質疑応答】

＜１４：４０〜１６：１０＞３．ダイヤモンドパワー半導体の現状と結晶成長、デバイス作製技術の研究動向佐賀大学　嘉数 誠 氏【講演ポイント】　ダイヤモンド半導体は、パワー半導体として30年以上期待されてきましたが、最近、ようやく、MOSFET技術、大口径ダイヤモンドウェハ技術が開発され、現実的になってきました。　 講演では、分野外の方にもわかるように、できるだけ平易なところから、最近の進展や動向までわかりやすく解説いたします。【プログラム】１．ダイヤモンド半導体はなぜ注目されているか　1.1 ダイヤモンドの物性　1.2 ダイヤモンド半導体の応用の可能性２．ダイヤモンドの結晶成長　2.1 高温高圧合成法　2.2 マイクロ波CVD法　2.3 ヘテロエピタキシャル法３．ダイヤモンド半導体デバイス　3.1 ドーピング技術　3.2 ゲート絶縁膜　3.3 ダイヤモンドMOSFET作製　3.4 DC特性　3.5 パワー特性　3.6 スイッチング特性　3.7 信頼性試験（ストレス特性）　3.8 RF特性４．今後の課題【質疑応答】