CVD・ALD装置の反応プロセス解析事例と展開

55,000 円(税込)

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開催日 10:30 ~ 16:30 
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主催者 (株)R&D支援センター
キーワード 半導体技術   化学反応・プロセス   薄膜、表面、界面技術
開催エリア 全国
開催場所 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 

☆CVD装置内の現象を解析するため、化学反応速度と   熱流体の基礎から原子層堆積(ALD)装置の流れ解析について紹介!☆成膜条件と得られた膜の関係から反応を推定した例、プラズマCVDの反応を観察し 解析した例なども紹介し、CVDとALDのプロセスを最適化するための要点を整理!※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。【アーカイブ配信:1/30~2/6(何度でも受講可能)】での受講もお選びいただけます。

セミナー講師

反応装置工学ラボラトリ 代表 博士(工学)羽深 等 氏【ご専門】化学工学(反応工学)、半導体結晶ウエハ生産プロセス技術【ご経歴等】横浜国立大学名誉教授、化学工学会シニア会員、化学工学会エレクトロニクス部会長、応用物理学会会員、日本結晶成長学会会員、米国化学会会員、米国電気化学会名誉会員、エレクトロニクス実装学会会員、空気清浄協会会員、よこはま高度実装技術コンソーシアム理事長

セミナー受講料

55,000円(税込、資料付)■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、  2名同時申込の場合計55,000円(2人目無料:1名あたり27,500円)で受講できます。(セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、   今回の受講料から会員価格を適用いたします。)※ 会員登録とは  ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。  すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。  メールまたは郵送でのご案内となります。  郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順

  1. Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
  2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
  3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
  • セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
  • アーカイブの場合は、配信開始日以降に、セミナー資料と動画のURLをメールでお送りします。
  • 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

 化学気相堆積(CVD)法と原子層堆積(ALD)法は、様々な薄膜を形成する際に広く用いられています。これらには、流れ、熱、反応物質の輸送に気相・表面の化学反応が複雑に絡むため、難しく見える方法です。 そこでCVD装置内の現象を解析するために、化学反応速度と熱流体の基礎をはじめに紹介します。原子層堆積(ALD)装置の流れ解析についても紹介します。 次に、実験的に化学反応の様子を観察・測定した例、成膜条件と得られた膜の関係から反応を推定した例、表面反応速度の理論上限を超える工夫をした例、プラズマCVDの反応を観察し解析した例、副生成物から見える情報、などを紹介します。最後に、CVDとALDのプロセスを最適化するための要点を整理します。

受講対象・レベル

・CVDとALDに初めて取り組む技術者・薄膜形成の反応プロセスと装置を理解し、改善したい技術者・新たな薄膜形成手法とプロセスを開発したい技術者・CVDとALDの装置を設計・開発したい技術者・化学反応を自由に捉えたい研究者・技術者

必要な予備知識

薄膜形成の基礎から説明しますので、予備知識は不要です。

習得できる知識

1.CVD法・ALD法による薄膜形成機構を理解できる。2.CVD法・ALD法に関わる基本現象が分かる。3.熱流体と反応場の捉え方を理解し、それを変えて行く手法が分かる。4.気相化学種から反応を推定する方法が分かる。5.膜質の情報から反応プロセスを推定する方法が分かる。6.成膜速度とドープ濃度を上げるために化学反応を組み替える方法が分かる。7.成膜結果と要因の関係を関数化する簡単な手法と応用例が分かる。8.副生成物の挙動と影響が分かる。9.プロセスを最適化するための考え方が分かる。

セミナープログラム

1. 序論   1-1. CVD法とALD法の概要と特徴    1-2. 薄膜形成理由   1-3. 成膜装置・成膜条件・要因

2. 化学反応の基礎   2-1. 反応速度、反応次数と速度定数   2-2. 反応速度式の作り方   2-3. 律速過程

3. 表面反応・気相反応   3-1. 主反応過程と膜質 

4. その場観察方法   4-1. その場観察で得られる情報   4-2. ガス採取場所の注意   4-3. 四重極質量分析(QMS)法   4-4. 圧電性結晶振動子によるその場測定   4-5. 赤外吸収(FT-IR)法

5. 膜分析方法   5-1. 膜厚(成膜速度)測定   5-2. X線光電子分光(XPS)法   5-3. 二次イオン質量分析(SIMS)法   5-4. エネルギー分散型X線分光(SEM-EDX)法   5-5. 分析結果の解釈に困ったとき

6. 反応の場(装置:流れ、熱と反応)を考慮した解析   6-1. 流れを把握する必要性   6-2. CVD装置内のガス流れ観察と数値計算   6-3. 流れを知る方法   6-4. ガス密度(種・濃度)でも流れは変わる   6-5. ガス濃度、流れと温度分布(計算)   6-6. 圧電性結晶振動子によるその場測定:成膜最低温度   6-7. 流れで膜質は変わる   6-8. 水平流れと基板回転:流れ・濃度・成長速度・膜厚・回転による平均化   6-9. 縦流れと基板回転:流れ・温度・濃度・基板直径・成膜速度   6-10. 基板回転の効果と活用   6-11. CVD反応器の形状と操作が成膜速度分布・膜質に及ぼす影響   6-12. 原子層堆積(ALD)装置内の流れと熱(低圧時と反応圧力時)

7. 膜とガスの分析に基づく反応解析とモデル化例   7-1. 質量分析による反応解析と速度モデル構築   7-2. 数値解析による反応速度とドーピング反応速度モデル構築   7-3. 反応設計と解析、成膜速度上限を超える工夫(並列ラングミュア過程)   7-4. 三塩化ホウ素+クロロシラン   7-5. ホウ素、炭素とケイ素の相互作用   7-6. 多元系プラズマCVD機構の解析

8. 副生成物から推定される反応例   8-1. 排ガス管内堆積物:Si微粉   8-2. 副生成物から推定される反応   8-3. 排ガス管内堆積物:クロロシランによるSiとSiC成膜   8-4. 排ガス管内堆積物:クロロシランによる副生成物の分解除去   8-5. リアクター内の汚れなどからわかる情報   8-6. 不要堆積物に起因する障害   8-7. 副生成物から分かること

9. 最適化の考え方   9-1. 諸要因の効果と活用   9-2. 最適化

10. まとめ

【質疑応答】

キーワード:CVD,ALD,薄膜,化学反応,分析,ガス,セミナー,講演,研修