パワー半導体用SiCウェハの加工技術

セミナー趣旨

  SiCパワー半導体はここ数年で省エネルギー電力制御機器として各産業分野に実装が進み、SiCウェハ産業も世界的に拡大しつつある。SiCウェハは極めて硬く安定な材料であるため、その材料となるSiC単結晶の成長やウェハ加工は技術的にシリコンよりかなり難易度が高いことが知られている。
  本セミナーでは、SiCパワー半導体用ウェハの開発動向および製造加工技術、特にウェハ加工およびそれらの材料評価技術に関する基礎から応用、技術開発動向について解説する。

受講対象・レベル

SiCパワー半導体やSiC材料開発に興味のある方、ウェハ加工技術・材料評価技術に関心のある方

習得できる知識

半導体用SiCウェハ製造技術（加工、評価）の基礎知識、これまでの開発動向、現在の技術課題とアプローチ、
SiCウェハ産業の動向に関する知識

セミナープログラム

1.SiCパワー半導体およびSiCウェハの開発動向
　1）SiCの基礎と物性
　　i) 身近なSiC
　　ii) ワイドギャップ半導体と特徴
　　iii) SiCウェハ
　　iiii) 他半導体材料とSiCの違い
　2）SiCパワー半導体への応用
　　i) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
　　ii) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
　3）SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
　　i) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
　　ii) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
　　iii) SiCウェハ開発に対する今後の期待
2.SiCウェハ加工技術
　1）SiCのウェハ加工
　　i) SiCウェハ加工工程と技術課題
　2）ウェハ切断工程
　　i) SiC単結晶の切断技術
　　ii) 切断工程の高速化技術
　　iii) 切断工程の課題と新しい切断技術
　3）ウェハ研削工程
　　i) SiCウェハの研削加工
　　ii) 研削加工の高速・鏡面化技術
　　iii) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
　4）ウェハ研磨工程
　　i) SiCウェハの研磨加工
　　ii) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
　　iii) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
　5）CMP工程
　　i) SiCウェハのCMP加工
　　ii) CMPの高速化技術
　　iii) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
　6）加工変質層と評価
　　i) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
　　ii) 加工変質層の評価技術
　　iii) 加工変質層の抑制技術
　7）大口径化対応
　　i) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
　　ii) 大口径化対応へ向けた解決策の検討
＜質疑応答＞

セミナー講師

 (国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム 研究チーム長 博士(工学) 　
 加藤 智久 先生

■ご略歴・ご活動
1999年4月より工業技術新電子技術総合研究所にてSiC単結晶成長・ウェハ加工技術の開発に従事。
2010年度 NEDO「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト」ウェハテーマリーダー、
2014年度 内閣府 ＳＩＰ『次世代パワーエレクトロニクス研究開発計画』ウェハテーマリーダーを経て、
2019年より産総研TPEC（ティーペック）材料分科会長として、民活型大型共同研究でのSiCウェハ開発を開始し、現在に至る。
■ご専門および得意な分野・研究等
ワイドギャップ半導体バルク単結晶成長、ウェハ加工技術、X線結晶学、鉱物学

セミナー受講料

1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円
＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料は、印刷物を郵送で送付致します。お申込の際はお受け取り可能な住所をご記入ください。
  お申込みは4営業日前までを推奨します。
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