【Live配信セミナー】EVシフトに伴うパワーデバイスの最新開発状況と今後の動向、課題

★SiC、GaNはいつ本格採用されるのか？最新の開発状況から今後の行方を探る！

セミナー講師

筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士(工学)　岩室 憲幸 氏

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

受講について

• 本講座はZoomを利用したLive配信セミナーです。セミナー会場での受講はできません。下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。　→ https://zoom.us/test
• 開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
• Zoomクライアントは最新版にアップデートして使用してください。
• Webブラウザから視聴する場合は、Google Chrome、Firefox、Microsoft Edgeをご利用ください。
• パソコンの他にタブレット、スマートフォンでも視聴できます。
• セミナー資料はお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。お申込みが直前の場合には、開催日までに資料の到着が間に合わないことがあります。ご了承ください。
• 当日は講師への質問をすることができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。
• 本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
• 本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。
• 複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
• Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。万が一部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

セミナー趣旨

2023年、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaNならびに酸化ガリウムパワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

１．パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向２．シリコンMOSFGETならびにシリコンIGBTの強み３．SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題４．パワー半導体デバイス全体ならびにSiC/GaN市場予測５，シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術６．SiC/GaNパワーデバイス特有の設計ならびにプロセス技術７．酸化ガリウムパワー半導体の特徴と課題など

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに　1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事　1.2 パワー半導体の種類と基本構造　1.3 パワーデバイスの適用分野　1.4 最近のトピックスから　1.5 新パワーデバイス開発の位置づけ　1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長　1.7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題　2.1 パワーデバイス市場の現在と将来　2.2 MOSFET特性改善を支える技術　2.3 IGBT特性改善を支える技術　2.4 IGBT薄ウェハ化の限界　2.5 IGBT特性改善の次の一手　2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに　2.7 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題　3.1 半導体デバイス材料の変遷　3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか　3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？　3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋　3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題　3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発　3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか　3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？　3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題　4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？　4.2 GaNデバイスの構造　4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場　4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？　4.5 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに？　4.6 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化　4.7 GaN-HEMTの課題　4.8 縦型GaNデバイスの最新動向

５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状　5.1 酸化ガリウムの特徴は何　5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

６．SiCパワーデバイス実装技術の進展　6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの　6.2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ　6.3 接合材について　6.4 銀または銅焼結接合技術　6.5 SiC-MOSFETモジュール技術

７．まとめ

【質疑応答】