<半導体製造において必須:プラズマプロセッシング>プラズマプロセスにおける基礎と半導体微細加工へのプラズマによるエッチングプロセス

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開催日 10:30 ~ 16:30 
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主催者 サイエンス&テクノロジー株式会社
キーワード 応用物理   半導体技術
開催エリア 全国
開催場所 オンライン配信セミナー

■半導体微細加工において重要なパラメータ:壁へのイオンや化学活性種のフラックス量とは?■半導体プロセスに用いられるプラズマ源、反応性イオンエッチングの表面現象を理解する!   

 ★ さまざまな表面化学反応を低温で実現できるプラズマプロセス! ★ プラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象とは?  二周波重畳プラズマの必要性と課題についても解説!

  受講可能な形式:【Live配信】のみ 

セミナー講師

名古屋大学工学研究科 電子工学専攻 教授 豊田 浩孝 氏名古屋大学低温プラズマ科学研究センター 教授(兼務)自然科学研究機構 核融合科学研究所 特任教授【経歴】1988年 名古屋大学工学研究科 博士課程後期課程修了 博士(工学)1988年 名古屋大学工学部 助手1992年 名古屋大学工学部 講師2000年 名古屋大学工学研究科 助教授2006年 名古屋大学プラズマナノ工学研究センター 助教授2007年 名古屋大学工学研究科 教授【研究内容】 減圧プラズマから大気圧プラズマにわたり、さまざまなプロセスに最適化したプラズマ装置の設計・製作をおこない、プロセスプラズマ装置内の気相および表面における物理化学過程の解析を進める。また、核融合装置壁の制御に関する研究も行っている。第5回プラズマエレクトロニクス賞プラズマ核融合学会貢献賞【専門】プラズマエレクトロニクス プラズマ理工学 

セミナー受講料

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55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額27,500円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合:受講料( 定価:41,800円/E-mail案内登録価格:39,820円 ) ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。

受講、配布資料などについて

Zoom配信の受講方法・接続確認

  • 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信となります。PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
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  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー中、講師へのご質問が可能です。
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配布資料製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開催日に間に合わないことがございます。  Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。 その他注意事項※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

セミナー趣旨

さまざまな表面化学反応を低温で実現できるプラズマプロセスは半導体製造において必須のプロセスです。本講座はプラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象(電離、解離、拡散、消滅)を解説するとともに、半導体微細加工において重要なパラメータとなる壁へのイオンや化学活性種のフラックス量がどのような過程で決定づけられているかを説明します。また、半導体プロセスで用いられるさまざまなプラズマ源の特徴、反応性イオンエッチングにおいて表面で起こっている現象を説明するとともに、近年の動向である二周波重畳プラズマの必要性と課題についても触れていきます。

習得できる知識

プラズマの基礎、エッチングプロセス実現のためのプラズマ制御の基本指針

セミナープログラム

1.プラズマとは 1.1 半導体プロセスにおけるプラズマの必要性 1.2 化学活性種の低温生成 1.3 イオンの活用2.プラズマ中での荷電粒子のふるまい 2.1 電子のエネルギー分布 2.2 電界の遮蔽 2.3 プラズマの振動とプラズマ周波数3.プラズマ中における粒子間衝突(荷電粒子や化学活性種の生成) 3.1 衝突の種類 3.2 衝突断面積  3.3 平均値としての衝突頻度 3.4 原子・分子のもつ内部エネルギー4.プラズマと壁(荷電粒子や化学活性種の消失) 4.1 荷電粒子の損失   ・シースの形成とボーム速度   ・壁への損失フラックス 4.2 化学活性種の損失   ・壁へのランダムフラックス   ・表面損失の確率5.プラズマの生成と損失のバランス 5.1 荷電粒子の生成と消滅のバランス 5.2 化学活性種の生成と消滅のバランス 5.3 エネルギーのバランス6.プラズマの作り方 6.1 容量結合型プラズマ 6.2 誘導結合型プラズマ 6.3 マイクロ波プラズマ7.反応性イオンエッチング 7.1 反応性イオンエッチング(RIE)とは 7.2 RIE表面において起こっている現象 7.3 選択性の発現 7.4 イオンの入射角度分布と高エネルギーイオン入射の必要性8.容量結合型プラズマによるエッチングプロセス 8.1 容量結合型プラズマの長所と短所 8.2 プロセススループット向上のためのプラズマの高密度化 8.3 容量結合型プラズマにおける自己バイアス発生とイオンのエネルギー分布形成 8.4 なぜ二周波重畳プラズマなのか 8.5 粒子の滞在時間と真空装置の高排気速度化の重要性 8.6 電源高周波化にともなう課題  □質疑応答□