半導体の製造工程入門～前工程から後工程まで、最新技術を踏まえ徹底解説～＜Zoomによるオンラインセミナー：見逃し視聴有＞

★一連の半導体製造フロー解説及び、それぞれのプロセスの種類・原理や用いられる装置・材料等について要点・問題点などを解説！ ★FinFETや３DNAND、FOWLP、SiP等近年の半導体技術についても言及、それらの技術・方式が各製造工程に与える影響とは？ 

5月23日『初めての半導体パッケージ樹脂封止・材料技術』とセットで受講が可能です。

セミナー講師

（株）ISTL 代表取締役 博士(工学) 　礒部 晶 先生

　1984-2002　NECにてLSI多層配線プロセス開発、1991よりCMPの開発、量産化に従事　2002-2006　東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー 　2006-20013　ニッタハースにて研究開発GM 　　2013-2015　(株)ディスコにて新規事業開発 　2014　九州大学より博士学位取得 　2015- 　(株)ISTL　CMP関連を中心に技術開発、事業開発アドバイザー　2018　中小企業診断士

セミナー受講料

『(オンライン)半導体製造工程入門（5月22日）』のみお申込みの方　『（見逃し視聴なし）：』のお申込みの場合　　1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円　『（見逃し視聴あり）：』のお申込みの場合　　1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

『(オンライン)半導体パッケージ樹脂封止（5月23日）』と合わせてお申込みの方　（同じ会社の違う方でも可。※二日目の参加者を備考欄に記載下さい。）　　＊見逃し視聴は5/22 半導体製造工程入門セミナーのみ実施です。　　　5/23 半導体パッケージ樹脂封止のセミナーは、見逃し視聴はございません。　『（5/22セミナーの見逃し視聴なし）：』にてお申込みの場合　　1名72,600円(税込（消費税10％）、資料付)　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき61,600円　『（5/22セミナーの見逃し視聴あり）：』にてお申込みの場合　　1名78,100円(税込（消費税10％）、資料付)　　＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき67,100円　⇒割引は全ての受講者が両日参加の場合に限ります

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

　半導体の製造工程は、ウエハ上にデバイスを作りこんでいく前工程、個々のチップに個片化してパッケージ化する後工程に分けられます。　本セミナーでは、ウエハからＬＳＩの最終製品までの一連の製造フローを紹介し、それぞれのプロセスの種類や原理、用いられる装置や材料について要点を解説していきます。また、近年では、前工程ではFinFETや3DNAND、後工程ではFOWLPやCoWoS、チップレットなどの新しい技術が次々と製品化されていますが、これらの技術・方式についても触れ、各製造工程に与える影響についても解説します。

受講対象・レベル

　半導体製造に関して幅広い知識を得たい方、前工程を担当しているが後工程のことを知りたい方やその逆。新入社員や若手技術者、半導体関連の営業担当の方など。

習得できる知識

　半導体製造の全体の流れ、半導体デバイスの基本モジュールと各種メモリ構造、前工程の個別プロセスの詳細、パッケージの種類、後工程の個別プロセスの詳細など。

セミナープログラム

1．はじめに　（1）シリコンウエハの製造方法　（2）前工程と後工程とは　（3）デバイスの種類とプロセスの関係　（4）ムーアの法則と微細化の限界

2．半導体デバイスの基本モジュールの構造と製造フロー　（1）デバイス構造作製の基礎～成膜とパターニング　（2）ＳＴＩ　（3）トランジスタ　（4）配線　（5）メモリの種類と構造

3．前工程の個別プロセス詳細　　～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向、問題点等～　（1）酸化　（2）ＣＶＤ　　　①ＬＰＣＶＤ　　　②常圧ＣＶＤ　　　③ＳＡＣＶＤ　　　④プラズマＣＶＤ　　　⑤ＡＬＤ　　　⑥ＭＯＣＶＤ　（3）ＰＶＤ　　　①スパッタリング　　　②リフロースパッタリング　　　③コリメートスパッタリング　　　④ロングスロースパッタリング　（4）めっき　（5）イオン注入　（6）リソグラフィー　　　①レジストコーティング　　　②露光機　　　③現像　（7）エッチング　　　①ウエットエッチング　　　②プラズマエッチング　　　③ＲＩＥ　（8）ＣＭＰ　（9）洗浄　（10）検査装置

4．パッケージの種類とその構造・特徴および最新技術動向　（1）リードフレームを用いるパッケージ　　　　～DIP、QFP　（2）パッケージ基板を用いるパッケージ　　　　～P-BGA、FCBGA　（3）ウエハレベルパッケージ　　　　～WLCSP、FOWLP　（4）最新動向　　　　～SiP、CoWoS、チップレット

5．後工程の個別プロセス詳細　　～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術　（1）裏面研削　（2）ダイシング　（3）ダイボンディング　（4）ワイヤボンディング　（5）モールド　（6）バンプ形成

　　＜質疑応答＞