【オンデマンド配信】プラズマ生成の基礎とプラズマCVD(化学気相堆積)による高品質成膜プロセスのノウハウ
開催日 | オンデマンド |
---|---|
主催者 | サイエンス&テクノロジー株式会社 |
キーワード | プラズマ技術 薄膜、表面、界面技術 半導体技術 |
開催エリア | 全国 |
■6時間集中!高品質膜を得ようとした際の、物理的・化学的なメカニズムを理解
★ 高品質なプラズマCVD膜を得るために、プラズマ源の選定、装置設定、現象を徹底理解!★ ハイバリア成膜、親水・撥水、ディスプレイ、集積回路などの応用へ! スパッタでは出来ない高品質成膜へ。
日時
2024年7月30日(火) 23:59まで申込み受付中/【収録日:2024年2月16日(金)】※映像時間:5時間33分視聴期間:主催者でお申込み受付後、10営業日(期間中は何度でも視聴可)
セミナー講師
大阪公立大学 大学院工学研究科 教授 白藤 立 氏【経歴・研究内容・専門】1991年 京都工芸繊維大学 助手2001年 京都大学 助教授(2007年より准教授)2009年名古屋大学特任教授2010年大阪市立大学教授を経て、2022年大阪公立大学教授プラズマを用いた材料プロセシングに関する研究に従事。近年は、大気圧プラズマや液体が関与するプラズマの研究を行っている。
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
60,500円( E-mail案内登録価格57,420円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 60,500円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額30,250円)
【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。
【テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合:受講料( 定価:46,200円/E-Mail案内登録価格 44,000円 )※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。※他の割引は併用できません。
受講、配布資料などについて
オンデマンド配信 ►受講方法・視聴環境確認(申込み前に必ずご確認ください)
配布資料
- PDFテキスト(印刷可):マイページよりダウンロード講師メールアドレスの掲載:有
セミナー趣旨
習得できる知識
セミナープログラム
1.なぜプラズマCVD? 1.1 ドライだから 1.2 低温だから 1.3 段差被覆性に優れるから 1.4 機能性官能基を含有できるから 1.5 非平衡だから2.プラズマと気体放電の基礎 2.1 プラズマの温度 (低温大気圧プラズマはどうしてできるのか?) 2.2 壁との境界「シース」 (プロセスでは表面近傍の理解が大切!) 2.3 放電によるプラズマ生成の基礎(Townsendの放電理論とPaschenの法則) (そもそも放電しないと話にならないが,放電しやすい/しにくいは何で決まる?)3.各種プラズマ生成方式(プラズマ源) 3.1 直流放電プラズマ (応用範囲は狭いが,まずはこれで基本原理を理解!) (プラズマ中の電位構造を理解することで,イオン衝撃の制御法がわかる) 2.2 高周波放電プラズマ (電極を向かい合わせたらよい?ちがいます!電極非対象とコンデンサが重要!) 2.3 高密度プラズマ源は何故高密度か? (電子の直進か回転かが密度の決め手!)4.プラズマ化学工学 4.1 制御パラメータと内部パラメータ (操作できるのは何か、実際には何が変わるのか?) 4.2 プラズマ中の電子のエネルギー分布 (電子のエネルギーは数十eVまで拡がる!) 4.3 電子衝突により一次反応 (電子衝突解離で何ができるのか? それは制御可能なのか?) 3.4 二次反応とその影響 (電子衝突解離で何が生成されるかが関係無い、ということもある!) 3.5 気相から表面までの輸送過程 (通常は拡散だが、イオンのドリフトを使うとイオン衝撃効果を援用できる)5.薄膜堆積プロセスの理解と応用技術 5.1 表面プロセスの概要 (まずは,「膜形成の前駆体が降ってきて,それが付着する」という単純な視点から) 5.2 膜構造形成過程の基本的描像 (前駆体が持つエネルギーの大小で着地後の振る舞いが変わり,膜構造が変わる) 5.3 膜の構造と電子材料としての物性 (欠陥とは何か? 何故形成されるのか?) 5.4 膜構造形成過程と膜物性 (最も良く理解されているa-Si:HのプラズマCVDの描像を例にとって) (欠陥を減らすには何を操作するとよい?) 5.5 成膜速度と基板温度 (成膜速度の向上のためには,基板温度は高くする?それとも低くする?) 5.6 イオン衝撃の効能 (制御によって毒にも薬にもなる) 5.7 機能基の含有 (電子エネルギー分布の制御と二次反応の賜物)■Q&A■ このセミナーに関する質問に限り、講師とメールにて個別Q&Aをすることができます。 具体的には、セミナー資料に講師のメールアドレスを掲載していますので、セミナーに関する質問がございましたら 直接メールでご質問ください。 (ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい。)