【中止】ダイヤモンド半導体デバイスの研究開発動向と課題・展望

セミナー趣旨

受講対象・レベル

・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方
・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方

習得できる知識

・ダイヤモンドの物性
・ダイヤモンド半導体研究の歴史
・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題

セミナープログラム

１．はじめに
　1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
　1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史　

２．ダイヤモンドウェハ製造技術
　2.1 成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
　2.2 不純物ドーピング技術
　2.3 スライス・カット技術
　2.4 研磨技術
 
３．ダイヤモンドダイオード
　3.1 ショットキーバリアダイオード
　3.2 PN接合ダイオード
　3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)
 
４．ダイヤモンドトランジスタ
　4.1 MESFET
　4.2 JFET
　4.3 BJT
　4.4 MOSFET
 
５．その他のダイヤモンド半導体のデバイス応用
　5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
　5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
　5.3 ダイヤモンド電気化学電極
 
６．まとめと今後の展開

　□ 質疑応答 □

セミナー講師

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配布資料

• 製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
  ※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承ください。Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。

※9月12日の12:00までに、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。