SiCパワーデバイスにおける結晶欠陥の基礎と評価技術

セミナー趣旨

SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
　本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

受講対象・レベル

・SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方。

必要な予備知識

・半導体に関する基礎知識を有する方。

習得できる知識

・SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識と、その評価手法を理解することができる。

セミナープログラム

1. はじめに
　1-1. SiCパワーデバイスの市場概況
　1-2. SiCパワーデバイスの特性比較（Siとの比較）

2. SiCの基礎
　2-1. SiCの結晶構造と多形
　2-2. 六方晶の結晶方位（四指数法）
　2-3. 結晶多形（Polytype）の解説
　2-4. Si面とC面

3. SiC結晶の成長法
　3-1. 昇華法
　3-2. CVD法
　3-3. 溶液法

4. 結晶欠陥の基礎
　4-1. 結晶欠陥の種類（0次元から3次元）
　4-2. 結晶欠陥の観察例と観察法
　4-3. 欠陥がデバイス性能に与える影響

5. SiCの結晶欠陥
　5-1. マイクロパイプと転位
　5-2. 積層欠陥

6. 結晶欠陥の評価技術
　6-1. X線トポグラフィ法
　6-2. KOHエッチング法
　6-3. フォトルミネッセンス法
　6-4. 透過電子顕微鏡法
　6-5. 偏光顕微鏡法

7. マルチモーダル解析
　7-1. 結晶欠陥のマルチモーダル解析
　7-2. 欠陥自動検出アルゴリズム

8. 実例と応用
　8-1. RAF法による結晶欠陥低減
　8-2. 溶液法における結晶欠陥低減
　8-3. 基底面転位とバイポーラ劣化
　8-4. CVD法による基底面転位の変換　
　8-5. 欠陥制御によるバイポーラ劣化抑制技術
　8-6. 低抵抗SiC基板における積層欠陥形成
　8-7. 貫通転位とデバイスリーク

9. まとめ

キーワード：
SiC,パワーデバイス,結晶成長,結晶欠陥,結晶構造,マルチモーダル解析,セミナー,講演

セミナー講師

国立大学法人東海国立大学機構　名古屋大学
未来材料・システム研究所　未来エレクトロニクス集積研究センター
准教授 博士 原田 俊太 氏
【ご専門】結晶欠陥工学

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
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　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
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