ナノインプリントのメカニズムと欠陥対策、半導体デバイスへの適用

セミナープログラム

【10:30-14:30】※途中、お昼休憩含む
 １．熱・光ナノインプリント法による微細加工と半導体デバイスへの適用

 ●講師　大阪公立大学　大学院工学研究科　特任研究員　博士（工学）平井 義彦 氏

【プログラム】
１．ナノインプリントの半導体応用
　1.1　ナノインプリントとは
　1.2　ナノインプリントの特徴と応用領域

２．熱ナノインプリント,ダイレクトナノインプリントのメカニズムと欠陥対策
　2.1　熱、ダイレクトナノインプリントの原理
　2.2　形状
　　　・膜厚依存性と欠陥
　　　・高アスペクト比構造
　　　・レンズ構造における欠陥例とその解消
　2.3　高圧プレス下での欠陥と面内均一性
　2.4　分レベルの挙動と限界解像性

３．UV (光) ナノインプリントのメカニズムと欠陥対策
　3.1　レジスト充填プロセスとバブル欠陥と対策
　3.2　UV照射プロセスと回折・干渉による欠陥と対策
　3.3　UV硬化プロセスと欠陥と対策
　3.4　分子レベルの流動性と硬化特性

４．離型の原理と欠陥対策
　4.1　破壊力学による離型の原理
　4.2　化学的手法による欠陥対策
　4.3　機械的手法による欠陥対策
　4.4　AR/VR用傾斜回折格子における離型欠陥の発生とその抑制
　4.5　離型の分子レベルの挙動

５．今後の展開と期待
　5.1　半導体チップレット技術 (再配線プロセス) への展開
　5.2　フラットレンズ、AR/VRグラスへの応用
　5.3　カーボンニュートラルへの取り組み
　5.4　人工知能利用によるプロセス・材料設計

【質疑応答】

【14:45-16:15】
 ２．EUVレジストおよびナノインプリントレジストの開発と今後の展望

 ●講師　富士フイルム(株)　エレクトロニクスマテリアルズ開発センター　シニアエキスパート　藤森 亨 氏

【略歴】
　・MNC(International Microprocesses and Nanotechnology Conference)　プログラムコミッティ・セクションヘッド
　・JJAP論文審査官、ACS論文審査官、各種学会での招待講演

【習得できる知識】
フォトレジスト開発従事者からみたリソグラフィおよびEUVレジスト開発の歴史と課題、さらに最近話題のナノインプリントの半導体分野での位置づけ

【講座の趣旨】
我々の生活に不可欠な先端デバイスの開発は止まることなく進んでおり、そのためにはリソグラフィの微細化が非常に重要な因子である。その実現のために不可欠なフォトレジスト開発、特にはEUVレジストの開発と歴史を理解することは、今後のリソグラフィ発展に重要な意味を持つ。加えて、別オプションとして長年開発されてきたナノインプリントリソグラフィの半導体分野への適用も日の目をみようとしている。これら昨今話題の半導体を理解するうえでの一助となると期待する。

【プログラム】
１．昨今のプレスリリースから紐解く
　1.1　ナノインプリントリソグラフィの半導体分野への適用状況
　1.2　富士フイルム、キヤノン、キオクシア、DNP

２．私たちの世の中を取り巻く環境
　2.1　エッヂAI、半導体に関する国プロジェクト（Rapidus/LSTC）解説、など
　2.2　富士フイルムのエレクトロニクスマテリアルズへの取り組み
　　
３．リソグラフィの歴史
　3.1　パターン微細化と露光波長、次世代リソグラフィの歴史

４．EUVレジスト　課題と解決の例
　4.1　EUVリソグラフィの必要性と難しさ

５．ナノインプリントレジスト
　5.1　なぜに、ナノインプリント？どこまできた？

【質疑応答】

セミナー講師

１．大阪公立大学　大学院工学研究科　特任研究員　博士（工学）平井 義彦 氏
２． 富士フイルム(株)　エレクトロニクスマテリアルズ開発センター　シニアエキスパート　藤森 亨 氏 

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込、資料付）
〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき49，500円〕

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