半導体ＣＭＰ技術の基礎と応用工程～研磨メカニズムから装置・消耗材技術、各種基板・プロセス応用等～

経験に頼る部分が多かったCMP工程の各種メカニズムが明らかに！CuCMPや各種基板など応用工程の実際も！ 網羅的・体系的に、技術部門以外の方も理解できるようわかりやすく解説します！ 

セミナー講師

 (株)ISTL 代表取締役 博士(工学) 　礒部 晶 氏

■ご略歴1984－2002　NECにてLSI多層配線プロセス開発、1991よりCMPの開発、量産化に従事2002－2006　東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー2006－20013　ニッタハースにて研究開発GM 　2013－2015　(株)ディスコにて新規事業開発2014　九州大学より博士学位取得2015－ (株)ISTL CMP関連を中心に技術開発、事業開発アドバイザー

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。
　　　

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  CMPが半導体の製造工程に用いられるようになって四半世紀以上が経過しました。当初は「常識外れ」だったCMPも今や何種類もの工程で使用される、なくてはならないプロセスとなりました。また、シリコンウエハはもちろん、サファイアやSiC、GaN、LT/LNなどの様々な基板の製造にも用いられています。  CMPはその平坦化や材料除去の理論に不明な点もあり、経験に頼っている部分が多かったですが、近年では様々な評価方法や理論に基づき、それらのメカニズムも徐々に明らかにされてきています。  本講座では、研磨メカニズムから実際のCMP応用工程の具体的中身、用いられる装置や消耗材の構成とそれらの役割について網羅的、体系的に解説します。  なるべくわかりやすく解説しますので、技術部門の方だけでなく、営業・マーケティング部門の方もぜひご参加ください。

受講対象・レベル

・CMP関連の装置、材料開発、営業・マーケティングに携わっている方・CMPを用いて半導体、電子デバイス、各種基板製造、開発に携わっている方・CMPに関して網羅的、体系的に知識を得たい方

習得できる知識

①CMPの理論　　・材料除去メカニズム　　・平坦化メカニズム②CMPに用いられる装置　　・装置構成の変遷と研磨方式　　・ヘッド構造の変遷　　・研磨量制御方式　　・CMP後洗浄③CMPに用いられる消耗材料　　・研磨パッドの基礎　　・スラリーの基礎　　・パッドコンディショナーの基礎④CMPの応用工程　　・半導体製造工程　ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り　　・基板製造　シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN⑤評価方法　　・パッドの評価方法　　・スラリーの評価方法　　・パッドコンディショナーの評価方法

セミナープログラム

1．CMPとは　1）CMPの構成要素　2）CMP装置　　a) CMP装置の構成　　b) 様々なCMP方式　　c) 研磨ヘッドの構造とエッジプロファイル制御　　d) APCと終点検出技術　3）CMP後の洗浄について　　a) 洗浄ブラシ　　b) 洗浄に用いられる薬液　　c) 乾燥方法　4) CMPの目的～平坦化　　a) 平坦化の分類　　b) 平坦化メカニズム2．消耗材料の基礎及び評価方法　1) スラリーの基礎及び評価方法　　a) 砥粒の種類～アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒～　　b) STI用スラリーの特徴～ノンプレストニアンスラリー　　c) W用スラリーの特徴～選択比とローカル平坦性　　d) Cu用スラリーの特徴　　e) スラリーの評価方法　2) 研磨パッドの基礎及び評価方法　　a) 研磨パッドの種類と特徴　　b) パッド物性と研磨特性の関係　　c) 研磨パッドの評価・解析方法　3) パッドコンディショニングとパッド表面状態　　a) パッドコンディショナーとは　　b) パッド表面状態と研磨性能の関係3．CMP応用工程の実際　1) CuCMP　　a) Cu配線の必要性　　b) CuCMPの必要性　　c) CuCMPのポイント　　d) CuCMPプロセスの実際と特有の課題　　e) Cuに代わる配線材料　2）最新のトランジスタ周りCMP　　a) トランジスタの性能向上　　b) HKRMG　　c) Fin-FET　　d) BPR、BS-PDN　3) ウエハ接合技術とCMP工程　4) CMPのプロセス評価方法　5) 各種基板の製造工程とCMPの役割　　a) Si　　b) サファイア　　c) SiC　　d) GaN　　e) LT／LN4．CMPの材料除去メカニズム　1) 砥粒による材料除去メカニズムの変遷　2) 新しい材料除去モデル　3) 新しい材料除去モデルの検証　4) 基板材料別材料除去メカニズムの推定　5) 材料除去モデルに基づく開発のヒント＜質疑応答＞