5G/beyond5GおよびAI搭載CASE実現のための積層セラミックコンデンサ(MLCC)の小型化・大容量化・高信頼化技術と今後の展望

１．移動通信システムの進化
２．CASEとは
３．生成AIとは，AI搭載CASEとは
４．自動車用の電子機器の住み分け
５．自動車用コンデンサの要求性能
６．MLCCのサイズの変遷(民生用，AI用，車載用)MLCCの温度特性による住み分け(U2J,COG)
７．コンデンサのDC電圧依存性 (Class1 vs Class2 MLCCの温度特性/DC特性/温度上昇)
８．スマートホンに搭載される電子部品の個数，自動車に搭載されるMLCCの個数
９．展望2023/ 2023村田の業績見通し, MLCCの小型化は更に進むか, AI搭載MLCC
10．MLCCの世界ランキングと市場、MLCC事情，MLCCの世界ランキングが変わる．
11．Ni-MLCCの商用化で IEEE Milestone賞を受賞
12．MLCCをLCR等価回路で考えると、低ESLコンデンサの利用，Lキャンセルトランス
13．Lキャンセルトランスで，ノイズ対策，近傍アンテナ間のノイズ対策
14．MLCC材料から見たBaTiO3+希土類+アクセプタ+固溶制御材+焼結助剤の歴史
15．COG,NP０特性のCu内電MLCC
16．MLCCの小型化、容量密度の進化、誘電体層薄層化の進化
17．MLCCの進展方向、小型化、大容量、高信頼性、自動車用コンデンサの要求性能
18．Ni-MLCCの製造プロセス、グリーンシートの技術動向
19．高信頼性MLCCに必要なこと、微小粒径、コア・シェル構造の利点
20．BaTiO3の誘電率のサイズ効果
21．小型・大容量化の課題，コアシェル構造の効用
22．薄膜用MLCCに求められる特性、水熱BaTiO3、修酸法BaTiO3
23．微少・均一BaTiO3のためのアナターゼTiO2, アナターゼTiO2の合成法
24．固相反応によるBaTiO3 の反応メカニズム
25．水蒸気固相反応法、水を介してBaTiO3の低温反応、
　　 水で加速する室温固相反応(BaTiO3),  Cold sintering は実用化できるか
26．粉砕と分散とは、メデイアのサイズ、メデイアの材質
27．微小ビーズ対応ミルによるナノ分散テクノロジー最前線
28．分散技術, 分散質の種類と分散系，分散機構の概要
29．MLCC分野におけるポリグリセリン誘導体の検討，MLCC用添加剤材
30．MLCCへの適用，MLCC焼結体への効果
31．BaTiO3ナノキューブの開発と適用，BTナノキューブ/グラフェン積層体のMLCC適用
32．RFプラズマ法による複合ナノ粒子合成
33．分級，MLCCの内電Ni粒子に最も重要な技術
34．Niナノ粒子の作り方（分級の役割）
35．MLCCでもう一つ重要な要素，内部電極と外部電極
26．高積層・高容量MLCCのためのNi内部電極用Ni微粒子、
37．供材の効果（Ni電極と誘電体の線膨張係数差を如何に少なくする）
38．2段焼成法のNi内部電極の効果，カバーレッジの向上
39．Ni内部電極の成形メカニズム（膜断面の観察），Ni内部電極の連続性（カバーレッジ）
　　 向上のメカニズム
40．熱プラズマNi微粒子の合成，粒度分布，表面不活性，
41．Ni電極への添加効果（Ni-Cr, Ni-Sn）,　Ni-Sn内電MLCCの特性
42．Ni電極印刷法（グラビア印刷），プラズマ法、微粒子コーテイング法
43．MLCC外部電極（高温対応）
44．セラミックスコンデンサー（MLCC）の温度特性
45．X8R規格のMLCC、(Ba,Ca,Sn)TiO3の特性評価、Caの役割、Snの役割
46．X8R規格のMLCCの他の方法、応力印加効果
47．電圧印加で容量が増加するMLCCとは，PZT薄膜のキュリー点が600℃？？？
　　 歪エンジニアリング、”Strain Engineering”
48．導電性高分子コンデンサ，フィルムコンデンサ，シリコンキャパシター
49．2022 Taiwan-Japan Passive Component Technology Symposium
50．積層セラミックスコンデンサ(MLCC)の信頼性
51．BaTiO3の絶縁性
52．絶縁破壊と絶縁劣化
53．BaTiO3の絶縁性を上げるための添加物の役割
54．置換サイトの基本は絶縁性，BaTiO3のどのサイトに入る, 置換サイトの同定法
55．BaTiO3の高温電気伝導に与えるBa/Ti比，希土類効果
56．MLCCの絶縁劣化メカニズム
57．絶縁抵抗:時間，HALT結果
58．コア・シェル構造の絶縁抵抗依存性
59．Cu, Sn固溶Ni-MLCCの絶縁抵抗時間変化
60．誘電体の導電メカニズムの分類
61．薄膜，MLCCのリ―ク電流依存性
62．ショットキー電流とプールフランケル電流
63．Cu-MLCCとNi-MLCCの特性の違い
64．ショットキー電流とプールフランケル電流(MLCC)
65．劣化時のリーク電流の変化について
66．酸素欠陥評価法：熱刺激電流
67．交流インピーダンス・等価回路法による評価，MLCC, SOFCに適用
68．圧電応答顕微鏡(PFM),接触共振-圧電応答顕微鏡(CR-PFM)，KFM法による表面電位測定,
69．酸素欠陥(熱刺激電流)による酸素欠陥の評価
70．MLCCの絶縁抵抗劣化に及ぼすLa添加効果
71．セラミック/内部電極界面,粒内,粒界を流れる電流，JE特性による分類
72．最近のMLCC研究動向
74．まとめ

付記）現象論的熱力学を用いたBaTiO3の特性シミユレーション

　　□質疑応答□

防衛大学校　名誉教授 / 大阪公立大学　客員教授　工学博士　山本 孝　氏
略歴
　1980年京都大学大学院博士課程修了
　1981年防衛大学校助手(電気工学教室)
　1984年9月カルフォルニア大学・バ－クレ－校
　　　　　 ロ－レンツ・バ－クレ－研究所客員研究員
　1987年防衛大学校講師(電気工学教室）
　1988年防衛大学校助教授(電子工学科）
　1994年防衛大学校教授(電気工学科）
　1999年防衛大学校教授(通信工学科)
　2014年防衛大学校定年退職、
　2014年大阪府大客員研究員(2014年～)
　2014年防衛大学校名誉教授
　2014年大阪府大客員教授(2014年～）
　2017年同志社大学非常勤講師(2017年～2019年）
　2022年大阪公立大客員教授(2022年～)