シリコンからSiCへ～パワーデバイスの基本動作から最新開発動向、課題と展望まで～

セミナー趣旨

  SDGsとそれに連動する電化・電動化のトレンドの中で電力を制御するパワーデバイスの重要性が高まり続けている。この領域で日本は黎明期から現在まで技術・市場の両面で世界をリードしてきたが、この10年で新材料SiCによるパワーデバイスが登場し、新たな局面を迎えている。
  本講義ではパワーデバイスの基本的動作と進化の歴史を踏まえ、現在の課題と今後の展望について概説し、パワーデバイス関連業界の全体像をとらえる事を目的とする。

受講対象・レベル

・パワーデバイスに関連する研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の経験を経た方。
・パワーデバイスの基本的技術、動作、業界の全体像の知見を得たいと考えている方
・パワーデバイスが何に役立ち、必要とされるのか？をユーザー視点で理解したい方

必要な予備知識

この分野に興味のある方なら特に予備知識は必要ありませんが、高校レベルの電気に関する知識があればより理解しやすいと思います。

■事前に目を通しておくと理解が深まる文献、サイトなど：※閲覧必須ではありません。
パワーデバイスやその業界状況については「パワーデバイス」「パワー半導体」等の語句で検索すると様々な情報があり、
予備知識として役立ちます。以下は一例です。
・産総研マガジン　「パワー半導体（パワーデバイス）とは？」
・NHK NewsWeb　「日本のパワー半導体、欧米、中国にどう立ち向かう？」

習得できる知識

・パワーデバイスの用途
・パワーデバイスの基本動作、及び現在の主力デバイスについて
・パワーデバイスの最新動向とそれに関連する用途、及びこれらの将来展望
など

セミナープログラム

1．パワーデバイスとは
　（1） 用途
　（2） 基本的動作
　（3） 開発の歴史
2．パワーデバイスの種類
　（1） 用途との対応
　（2） 基本動作による分類
3．現在の主力パワーデバイス
　（1） パワーMOSFET
　（2） IGBT
4．SiCパワーデバイス
　（1） 優位性
　（2） 開発の歴史
　（3） 製造プロセスとデバイス構造
　（4） 最新技術動向
5．性能比較
　（1） オン抵抗
　（2） 総合性能
6．SiCパワーデバイス関連市場動向
　（1） デバイスメーカーの状況
　（2） SiC基板の状況
　（3） 主要アプリケーションの状況
＜質疑応答＞

＊途中、小休憩を挟みます。

セミナー講師

 九州大学 大学院システム情報科学研究院 価値創造型半導体人材育成センター 教授　  寺島 知秀 氏

■ご略歴
1987年大阪大学基礎工学部物性物理工学科卒業。2017年に同大学にて応用物理で博士(工学)を取得。
1987年に三菱電機に入社後2012年までパワーMOSFET、高耐圧ICプロセス、
BiCMOS&DMOSプロセス、IGBT、パワーDiode開発に従事。
BiCMOS&DMOSプロセスと高耐圧ICではそれぞれ三菱電機としての第一世代の製品化を担当し、
高耐圧ICでは現在世界的に広く使われている耐圧保持構造を発案。
2013年から2015年まで先端技術総合研究所にてSiCデバイスと次世代パッケージの研究管理業務に携わった後、
パワーデバイス製作所にてパワーデバイスと高耐圧ICの技術開発に関する統括業務を担当。
2024年から九州大学大学院　システム情報科学府教授。　
パワーデバイスとICプロセス・デバイス領域で84件の米国特許と61件の日本特許を取得。IEEE-ESD会員、電気学会上級会員。

セミナー受講料

【オンライン受講：見逃し視聴なし】　1名36,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき25,300円

【オンライン受講：見逃し視聴あり】　1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです
  →環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です
  →こちらをご確認ください