めっき法の基礎および堆積形状・膜物性の添加剤による制御とその低減策

セミナー趣旨

電解および無電解めっきによる金属薄膜形成の基礎を概説する。その上で大に無電解めっき法に関して，めっき条件（還元剤・添加剤等の組 成，浴温,pH）とめっき膜物性（結晶構造，電気抵抗）及び金属膜堆積特性（形状，堆積速度）などの相関に関して，銅，ルテニウム，Co合金などを具体的事例 に取り上げて詳細な解説を行う。

セミナープログラム

１．電解めっき法の基礎
　　・電解めっきでの電位－電流依存性
　　・電流効率とファラデーの法則

２．無電解めっき法の基礎
　　・触媒（Ｐｄ）前処理法
　　・無電解Cu及びRuめっきの基礎反応過程

３．電解銅めっきによるボトムアップ埋め込み技術
　　・ダマシン法と微細銅配線技術
　　・ボトムアップ埋め込みの添加剤
　　・ボルタンメトリによるめっき機構解析
　　・ボトムアップ埋め込みと電圧（電流）波形

４．無電解銅めっきにおけるボトムアップ堆積技術

５．添加剤とめっき膜質
　　・室温結晶粒成長現象と添加剤の影響
　　・添加剤の膜中への取り込みとその評価
　　・不純物の取り込みと結晶粒径， 電気抵抗の相関
　　・熱処理での結晶粒成長現象
　　
【質疑応答】

受講者の皆様の抱える疑問点や問題点について，
開催3日前までに 「事前リクエスト用紙」
（請求書に同封）や 「Eメール」 を御寄せ頂けましたら，
講演中に対応させて頂きます。

セミナー講師

関西大学 システム理工学部 名誉教授・特別任用教授 理学博士 新宮原 正三 氏

＜受賞歴＞　 
　1990年　SSDMベストペーパー賞，
　2015年　応用物理学会フェロー表彰
＜学会・委員会活動＞
　応用物理学会，電気化学会，エレクトロニクス実装学会，
　Electrochemical Society, Materials Research Society, IEEE

　※その他，表面処理関連の執筆，講演多数

セミナー受講料

  1名につき55，000円（消費税込み・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込み）〕

受講について

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