ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング(ALE)の最新技術動向

55,000 円(税込)

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開催日 10:30 ~ 16:30 
主催者 サイエンス&テクノロジー株式会社
キーワード プラズマ技術   半導体技術   化学反応・プロセス
開催エリア 全国
開催場所 Zoomを利用したオンライン講座

■最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術■半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)

★最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説します。

 

日時

【Live配信:アーカイブ付き】 2025年1月20日(月)10:30~16:30【アーカイブの視聴期間】2025年1月21日(火)~1月27日(月)まで  受講可能な形式:【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ  ※アーカイブ配信のみの受講もOKです。

セミナー講師

大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻 教授 浜口 智志 氏【経歴】1982年東京大学理学部物理学科卒業1987年同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了1988年ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了1988年-1990年テキサス大学物理学科核融合研究所(IFS) 研究員1990年-1998年IBM ワトソン研究所主任研究員1998年-2004年京都大学エネルギー科学研究科・助教授2004年-現在 大阪大学工学研究科・教授【学位】理学博士、Ph.D. in mathematics【専門】プラズマ物理学、プラズマプロセス工学、核融合科学【学会活動】国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、Journal of Plasma Medicine 編集委員長、ライプニッツ・プラズマ科学技術研究所(ドイツ)科学諮問評議会委員、プラズマ医療国際学会(IPMS)元会長、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、等。【受賞】2016:プラズマ賞・米国真空学会(AVS), 2012:米国物理学会(APS)フェロー、2011:AVSフェロー、2019ドイツ研究振興協会メルカトールフェロー、2022:日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会プラズマ材料科学賞 等

セミナー受講料

※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。

55,000円( E-mail案内登録価格52,250円 )E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料2名で 55,000円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額27,500円)

【1名分無料適用条件】※2名様ともE-mail案内登録が必須です。※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)※他の割引は併用できません。

■■■ 1名様で、12月1日申込み受付分から ■■■ テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】1名申込みの場合: 受講料 44,000円 (E-Mail案内登録価格 42,020円) ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 ※他の割引は併用できません。

受講について

ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認(申込み前に必ずご確認ください)

配布資料

  • PDFテキスト(印刷可・編集不可)

セミナー趣旨

本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

習得できる知識

・プラズマプロセスの基礎知識・ドライエッチングの基礎知識・原子層エッチング(ALE)の基礎知識と最新技術動向

セミナープログラム

1.背景2.プラズマ科学の基礎3.代表的なプラズマプロセス装置4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎 4.1 プラズマ表面相互作用 4.2 表面帯電効果 4.3 シリコン系材料エッチング反応機構 4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構 4.5 高アスペクト比(HAR)エッチング概要5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として 6.1 熱ALD 6.2 プラズマ支援(PA-)ALD7.ALEプロセスの概要と最新技術動向 7.1 PA-ALE 7.2 熱ALE:リガンド交換 7.3 熱ALE:金属錯体形成8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX) 8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design) 8.2 仮想計測(VM)とプロセス装置制御 8.3 マテリアルズ・インフォマティクス 8.4 プロセス開発における機械学習(ML)・AIの活用9.まとめ  □質疑応答□