ＣＭＰプロセスの最適化と装置・消耗部材の最新動向

消耗材料（スラリー、パッド、コンディショナー）、装置への要求技術と先端半導体におけるCMPの最新動向まで

日時

【Live配信】２０２５年１月２８日（火）　１０：３０～１６：３０【アーカイブ（録画）配信】２０２５年２月６日まで受付（視聴期間：２月６日～２月１６日まで）

セミナー講師

(株)ISTL　代表取締役社長　博士(工学)　礒部 晶 氏1984−2002　日本電気(株)にて半導体プロセス開発2002−2006　(株)東京精密にてCMP事業執行役員2006−2013　ニッタハース(株)にてテクニカルサポートセンター長等2013−2015　(株)ディスコにて新規事業担当2015−(株)ISTL設立し現在に至る　技術・事業アドバイザー、各種セミナー講師等

セミナー受講料

  1名につき55，000円（消費税込・資料付き）〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

受講について

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セミナー趣旨

CMPは約30年前に半導体デバイスの製造に応用された頃にはゲテモノ扱いされていましたが、今ではなくてはならない非常に重要な技術となりました。CMPと一口で言っても実は工程別に平坦化メカニズムも材料除去メカニズムも異なっています。本講では最初にそうしたメカニズムについて理解していただいた上で、CMPの構成要素である装置、消耗材料（スラリー、研磨パッド、パッドコンディショナー）について解説します。主な応用工程の目的とポイントについて解説し、最後に材料開発のヒントについても触れます。

習得できる知識

①CMPの理論　・材料除去メカニズム　・平坦化メカニズム②CMPに用いられる装置　・装置構成の変遷と研磨方式　・ヘッドの変遷③CMPに用いられる消耗材料　・研磨パッドの基礎　・スラリーの基礎　・ドレッサーの基礎④CMPの応用工程　・半導体製造工程　ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り　・基板製造　シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN⑤評価方法　・パッドの評価方法　・スラリーの評価方法　・ドレッサーの評価方法

セミナープログラム

１．CMPのメカニズム　1.1 平坦化メカニズム　1.2 材料除去メカニズム

２．CMPに用いられる装置　2.1 CMP装置の構成　2.2 様々なCMP方式　2.3 研磨ヘッドの変遷　2.4 終点検出とAPC

３．消耗材料の基礎　3.1 スラリー　・スラリー市場　・スラリーに用いられる砥粒の変遷　・工程別スラリーの特徴　・スラリーの物性測定方法　3.2 研磨パッド　・研磨パッド市場　・研磨パッドの種類と特徴　・研磨パッドの物性測定方法　3.3ドレッサー

４．CMPの応用工程　4.1 CuCMP　・Cu配線の必要性　・CuCMPの必要性　・CuCMPのポイント　4.2トランジスタ周りのCMP　・トランジスタの性能向上　・HKRMG　・Fin-FET　・SAC　4.3 ハイブリッドボンディング　4.4 各種基板の製造工程とCMPの役割

５．プロセス開発のヒント　5.1 材料別研磨メカニズムの違い　5.2 研磨パッドとスラリーの考え方【質疑応答】