スパッタリング薄膜の基礎と制御技術 ～薄膜構造・物性評価、プロセス安定化、薄膜物性再現性向上～

1日速習！ 基礎から応用まで
スパッタリングの現場で役立つノウハウを丁寧に解説！

セミナー講師

 草野 英二 先生   金沢工業大学 バイオ・化学部　応用化学科　教授 博士（工学）

セミナー受講料

【オンラインセミナー（見逃し視聴なし）】：1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー（見逃し視聴あり）】：1名52,800円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

配布資料・講師への質問等について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）。
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
  （全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。）
• 本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、
  無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

下記ご確認の上、お申込み下さい

• PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております（20Mbbs以上の回線をご用意下さい）。
  各ご利用ツール別の動作確認の上、お申し込み下さい。
• 開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。

Zoomを使用したオンラインセミナーとなります

• ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
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• Zoomアプリのインストール、Zoomへのサインアップをせずブラウザからの参加も可能です。
  ※一部のブラウザは音声（音声参加ができない）が聞こえない場合があります。
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  　対応ブラウザーについて(公式) ;
  　「コンピューターのオーディオに参加」に対応してないものは音声が聞こえません。

申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です

• 開催5営業日以内に録画動画の配信を行います（一部、編集加工します）。
• 視聴可能期間は配信開始から1週間です。
  セミナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴できます。
  尚、閲覧用のURLはメールにてご連絡致します。
  ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
  （見逃し視聴有り）の方の受講料は（見逃し視聴無し）の受講料に準じますので、ご了承下さい。
  →こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい（テスト視聴動画へ）パスワード「123456」

セミナー趣旨

  スパッタリング法は、工業的に広く使われている薄膜作製法である。スパッタリング法の特徴として、基板温度を上げることなく、物性に優れた薄膜が得られるということが挙げられる。これは、スパッタリング法においてターゲットから発生した粒子が大きなエネルギーを持つためである。しかし、これは高い非平衡状態において薄膜が堆積されることを意味し、この高い非平衡性が薄膜の構造と物性が装置内の機材配置や微細な見えないプロセス条件変化に影響されるという厄介な問題を引き起こす。また、同時に、この非平衡性が薄膜に大きな応力を残留させるという短所をも生じさせることになる。これらの問題に対応することがスパッタリング法薄膜堆積を工業的に有為な薄膜堆積方法とする。
  本講演では、スパッタリング法の工業的展開において生産あるいは技術開発の現場において遭遇する諸問題に、「スパッタリング法の技術基盤の理解にもとづき対応する力」を身につけていくことを目標とする。生産あるいは技術開発の現場で活躍するエンジニアに必須の講義である。

セミナープログラム

1. スパッタリング法概観
  1.1. スパッタリング現象
  1.2. スパッタリング法による薄膜堆積法概観
2. スパッタリング放電の工業的特徴
  2.1. 放電を理解するための基礎
  2.2. 直流マグネトロン放電の工業的特徴
  2.3. 高周波放電の工業的特徴
3. スパッタリング薄膜堆積におけるスパッタリング現象
  3.1. スパッタリング率
  3.2. スパッタリングされた粒子の持つエネルギーと熱中性化
  3.3. スパッタリングされた粒子のターゲットへの再堆積
  3.4. 堆積された薄膜のエネルギー粒子による再スパッタリング
4. スパッタリング法により作製された薄膜の構造と物性
  4.1. スパッタリング薄膜構造モデルと粒子の持つエネルギーの膜構造への影響
  4.2. 金属薄膜における基板温度・放電圧力の膜構造への影響
  4.3. 酸化物薄膜における基板温度・放電圧力の膜構造への影響
  4.4. 膜厚が数100 nm以下のである薄膜に対する構造モデルと物性
5. 反応性スパッタリング法の工業展開
  5.1. 反応性スパッタリング法とは
  5.2. 反応性スパッタリング法におけるプロセス安定性と制御
6. パルススパッタリング法
  6.1. パルススパッタリング法の概要
  6.2. パルススパッタリング法の工業的特徴
  6.3. ハイパワーインパルスパルススパッタリング法の工業的特徴
7. スパッタリング薄膜の内部応力
  7.1. 内部応力とは
  7.2. 内部応力の発生メカニズム
  7.3. 内部応力の評価方法
  7.4. 薄膜の構造と内部応力
  7.5. スパタリング薄膜と内部応力の実例
  7.6. 応力の抑制手法
8. スパッタリング薄膜における付着力の評価と向上
  8.1. 付着のメカニズム
  8.2. 付着力と全応力
  8.3. スパッタリング薄膜のはく離の機構
  8.4. 薄膜の付着力の評価方法
  8.5. 薄膜付着力の測定の実例
  8.6. 基板硬さの付着力測定結果への影響
  8.7. 付着力向上への指針
9. スパッタリング工業プロセスの安定化
  9.1. チャンバー内の状態が放電の安定性に与える影響
  9.2. チャンバー内の状態が薄膜物性の安定性に与える影響
  9.3. パッシブ制御から攻めの制御へ
10. まとめ
  10.1. 講習のまとめ
  10.2. 参考となる書籍紹介
＜質疑応答＞